公开(公告)号：CN116930288A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310898977.9

申请日：2023-07-20

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 毛琦 ,  景蔚萱 ,  高伟卓 ,  韩枫 ,  王琛英 ,  杨振伟 ,  甄凤昆

IPC: G01N27/327 ,  G01N27/49

Abstract: 本发明属于葡萄糖传感器领域，公开了一种基于图形化结构的电化学葡萄糖传感器用电极及制备方法，包括：采用丝网印刷工艺在柔性基底上制备岛桥图形化结构的ZnO薄膜；采用水浴法在图形化结构的ZnO薄膜上进行ZnO纳米线的生长，得到基于图形化结构的电化学葡萄糖传感器用电极。利用图形化结构的ZnO薄膜提升柔性基底与纳米机制材料之间的界面结合力，改善传感器膜层间的晶格失配或静电吸附引发损伤萌生扩展区，同时改善电极在服役条件下的表面张力及局部应力应变曲线，最终实现柔性电极的局部应力可控，提高膜层结构的力学性能和结构强度，提高电化学葡萄糖传感器的性能和结构稳定性，进而提高电极在拉伸、压缩及扭转等外力作用下的结构稳定性。

公开(公告)号：CN118655202A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410691708.X

申请日：2024-05-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 景蔚萱 ,  李泽昊 ,  杨振伟 ,  唐昊 ,  吴阳光

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于传感器技术领域，公开了一种双平面栅钾离子敏场效应晶体管及其制备方法，包括双平面栅场效应晶体管和扩展栅极。双平面栅场效应晶体管包括基底，基底上设置下介电层，下介电层上依次排列设置第一平面栅极、源极、半导体层、漏极和第二平面栅极，半导体层上设置上介电层，上介电层上设置顶栅极；扩展栅极与顶栅极连接。本发明基于单平面栅离子场效应晶体管，在其下介电层上设置第二平面栅极，可减少半导体层与基底之间存储的电荷量，从而降低下介电层电容，提升场效应晶体管的电容耦合比，最终提高钾离子敏场效应晶体管的灵敏度。本发明双平面栅钾离子敏场效应晶体管具有极高的灵敏度，可用于检测环境水质及人体体液中的钾离子浓度，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN116930287A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310896202.8

申请日：2023-07-20

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 毛琦 ,  景蔚萱 ,  张易军 ,  韩枫 ,  高伟卓 ,  杨振伟 ,  甄凤昆

IPC: G01N27/327 ,  G01N27/49

Abstract: 本发明属于葡萄糖传感器领域，公开了一种电化学葡萄糖传感器的核壳结构型工作电极及制备方法，包括：在基底上依次溅射金膜和ZnO薄膜，得到预处理基底；将预处理基底置于ZnO生长溶液中，采用水浴法在ZnO薄膜上生长ZnO纳米花，然后采用原子层沉积技术在ZnO纳米花上沉积AZO薄膜，得到AZO‑ZnO纳米花核壳结构；在AZO‑ZnO纳米花核壳结构上固化葡萄糖氧化酶，得到电化学葡萄糖传感器的核壳结构型工作电极。通过在ZnO纳米花上采用原子层沉积技术工艺制备AZO薄膜，形成了由AZO修饰的的核壳结构型工作电极，增强了功能化表面的电子传输性能，提高了工作电极的电子传输效率，能够在稳定酶吸附的基础上实现电子的快速传输，可用于制备高性能的电化学葡萄糖传感器。