双平面栅钾离子敏场效应晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN118655202A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202410691708.X

    申请日:2024-05-30

    摘要: 本发明属于传感器技术领域,公开了一种双平面栅钾离子敏场效应晶体管及其制备方法,包括双平面栅场效应晶体管和扩展栅极。双平面栅场效应晶体管包括基底,基底上设置下介电层,下介电层上依次排列设置第一平面栅极、源极、半导体层、漏极和第二平面栅极,半导体层上设置上介电层,上介电层上设置顶栅极;扩展栅极与顶栅极连接。本发明基于单平面栅离子场效应晶体管,在其下介电层上设置第二平面栅极,可减少半导体层与基底之间存储的电荷量,从而降低下介电层电容,提升场效应晶体管的电容耦合比,最终提高钾离子敏场效应晶体管的灵敏度。本发明双平面栅钾离子敏场效应晶体管具有极高的灵敏度,可用于检测环境水质及人体体液中的钾离子浓度,具有良好的应用前景。

    一种柔性自供电乳酸传感器电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN118566312A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410880438.7

    申请日:2024-07-02

    IPC分类号: G01N27/30

    摘要: 本发明公开了一种柔性自供电乳酸传感器电极及其制备方法,包括乳酸传感器阳极结构和乳酸传感器阴极结构,乳酸传感器阳极结构包括石墨烯纤维,石墨烯纤维表面生长有PANI薄膜,PANI薄膜的上修饰有Au纳米片、ZnO纳米线和乳酸氧化酶;所述乳酸传感器阴极结构包括石墨烯纤维,石墨烯纤维表面生长有PEDOT薄膜,PEDOT薄膜表面修饰有Pt颗粒,本发明的乳酸传感器底层的石墨烯纤维优异的电导率能够保证电荷的快速转移和传输,外部的Au、ZnO可以固定更多的Lox,并使其具有优越的乳酸传感器性能,所开发的柔性电极具有不错的电容量和良好的生物催化性能,具有自供电的能力。

    一种在线校准晶圆微纳米台阶高度标准样板及其循迹方法

    公开(公告)号:CN110793433B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201910920159.8

    申请日:2019-09-26

    IPC分类号: G01B11/00

    摘要: 本发明公开了一种在线校准晶圆微纳米台阶高度标准样板及其循迹方法,用于实现在线校准,样板包括中心工作区域及第一、第二循迹区域;通过所述微纳米台阶高度标准样板的第一循迹区域和第二循迹区域内的等腰三角形循迹标识的指向配合设计单位标识确定样板的摆放方向与中心工作区域位置;通过所述中心工作区域内台阶结构左右两侧区域设置的四种循迹定位参考图形快速定位台阶结构位置,通过台阶结构两边对称设置的校准定位块快速定位台阶测量位置,完成整个定位过程。该样板上的台阶结构是在晶圆片上直接制备,并且台阶测量区域可通过循迹标记快速定位,因此该发明实现了对微电子集成电路产线中纳米测量仪器的在线溯源校准工作,大大提高了仪器校准效率。

    一种检测肥素钾全固态离子选择性电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN110632144B

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201910872943.6

    申请日:2019-09-16

    摘要: 本发明公开一种检测肥素钾全固态离子选择性电极及其制备方法,包括基底电极、固态接触传输层、电子转换层和钾离子敏感膜,固态接触传输层覆盖基底电极的工作端,电子转换层覆于固态接触传输层上,钾离子敏感膜覆于电子转换层上;其中,基底电极包括硬化环氧树脂管、石墨块和导电铜棒;导电铜棒和石墨块设置在硬化环氧树脂管内,石墨块一端和导电铜棒的端面连接,石墨块的另一端与硬化环氧树脂管的端面平齐,石墨块与固态接触传输层连接;与对应参比电极配套可以快速、准确、便捷地检测出肥液中钾离子浓度,本发明制作成本低,易于小型化和批量生产,响应灵敏,适用于大田土壤现场制备清液中钾离子浓度检测,符合实时原位检测。

    双沟道HEMT太赫兹探测器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107863360B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201711015956.9

    申请日:2017-10-26

    IPC分类号: H01L27/144 H01L29/10

    摘要: 本发明公开了一种基于双沟道HEMT的太赫兹波探测器,包含双沟道HEMT单元和能够耦合太赫兹波的天线。本发明所提出的双沟道HEMT太赫兹探测器采用半导体制造工艺,将太赫兹波天线与HEMT集成一体,结构紧凑,有利于探测器的阵列化和规模化生产,能够有效提高器件的导通电流,增大探测器的响应度和灵敏度,提升探测器的稳定性,进而实现对太赫兹波快速、准确的探测。

    一种基于微流道的钨铼薄膜温度传感器冷端补偿结构

    公开(公告)号:CN106840438B

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201710100938.4

    申请日:2017-02-23

    IPC分类号: G01K7/12

    摘要: 本发明公开了一种基于微流道的钨铼薄膜温度传感器冷端补偿结构,包括热电偶和冷端温度补偿模块;热电偶包括设有热电偶冷端微流道的基底;冷端微流道采用针翅式微流道结构;冷端温度补偿模块包括补偿导线、第一放大器、第二放大器、冷端温度传感器、微控制器和显示模块;微控制器对来自热电偶的电压和冷端温度传感器所输入的电压进行综合处理,转换成温度信号通过显示模块实时显示所测温度。本发明将微流道应用于热电偶基底的冷端部位上并与冷端温度补偿模块相结合,解决了补偿导线与钨铼薄膜热电偶连线的高温失效问题,对热电偶的冷端温度进行补偿,提高了所测温度信号的精度和可靠性,实现精确可靠的高温测量。

    一种基于三维圆柱形跨尺度结构阵列的光催化反应器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103657565B

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201310631930.2

    申请日:2013-11-28

    IPC分类号: B01J19/12 C02F1/72

    摘要: 一种基于三维圆柱形跨尺度结构阵列的光催化反应器及其制备方法。在玻璃基底上将光纤纤芯以250μm或375μm的间距排列,并用PDMS胶单端固定形成第一层光纤纤芯阵列;在垂直于该层光纤纤芯阵列方向上用同样方法制备第二层光纤纤芯阵列;在垂直于第二层光纤纤芯阵列方向上用同样方法制备第三层光纤纤芯阵列,在上述两层和三层三维光纤纤芯阵列上基于水浴法合成ZnO纳米线,最终得到层数和节距确定、表面形貌和光催化性能可控的三维圆柱形跨尺度结构阵列。该方法不但制作成本低、操作简便,而且显著地增大了基底面积、保证了光纤纤芯阵列的精度。在三维光纤纤芯阵列表面上合成ZnO纳米线薄膜,得到三维圆柱形跨尺度结构阵列,进一步增大了催化剂表面面积。

    一种纳米多台阶高度样板的制备方法

    公开(公告)号:CN100408970C

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:CN200610043075.3

    申请日:2006-06-30

    IPC分类号: G01B11/00 G01B9/04 G01N13/10

    摘要: 一种纳米多台阶高度样板及其制备方法,将薄膜厚度转换为纳米多台阶高度样板的台阶高度,通过控制薄膜厚度来控制纳米多台阶高度样板的公称台阶高度,并通过干、湿法套刻技术刻蚀出台阶形状,最终形成多台阶的纳米台阶高度样板。由于薄膜制备工艺易于实现10nm量级厚度的Si3N4薄膜和Cr薄膜的制备,而采用干、湿法套刻技术可以刻蚀出多台阶高度形状,因此该发明降低了纳米多台阶高度样板的制备难度,而且还具有费用低廉,工艺性好,纳米多台阶高度样板的材料选择多样等优点;最后,该纳米多台阶高度样板不仅适合于扫描电子显微镜等非接触式纳米测量仪器的测量、校准和溯源,也适用于扫描探针显微镜等接触式纳米测量仪器的测量、校准和溯源。

    一种纳米多台阶高度样板及其制备方法

    公开(公告)号:CN1920476A

    公开(公告)日:2007-02-28

    申请号:CN200610043075.3

    申请日:2006-06-30

    IPC分类号: G01B11/00 G01B9/04 G01N13/10

    摘要: 一种纳米多台阶高度样板及其制备方法,将薄膜厚度转换为纳米多台阶高度样板的台阶高度,通过控制薄膜厚度来控制纳米多台阶高度样板的公称台阶高度,并通过干、湿法套刻技术刻蚀出台阶形状,最终形成多台阶的纳米台阶高度样板。由于薄膜制备工艺易于实现10nm量级厚度的Si3N4薄膜和Cr薄膜的制备,而采用干、湿法套刻技术可以刻蚀出多台阶高度形状,因此该发明降低了纳米多台阶高度样板的制备难度,而且还具有费用低廉,工艺性好,纳米多台阶高度样板的材料选择多样等优点;最后,该纳米多台阶高度样板不仅适合于扫描电子显微镜等非接触式纳米测量仪器的测量、校准和溯源,也适用于扫描探针显微镜等接触式纳米测量仪器的测量、校准和溯源。

    电化学葡萄糖传感器的核壳结构型工作电极及制备方法

    公开(公告)号:CN116930287A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310896202.8

    申请日:2023-07-20

    IPC分类号: G01N27/327 G01N27/49

    摘要: 本发明属于葡萄糖传感器领域,公开了一种电化学葡萄糖传感器的核壳结构型工作电极及制备方法,包括:在基底上依次溅射金膜和ZnO薄膜,得到预处理基底;将预处理基底置于ZnO生长溶液中,采用水浴法在ZnO薄膜上生长ZnO纳米花,然后采用原子层沉积技术在ZnO纳米花上沉积AZO薄膜,得到AZO‑ZnO纳米花核壳结构;在AZO‑ZnO纳米花核壳结构上固化葡萄糖氧化酶,得到电化学葡萄糖传感器的核壳结构型工作电极。通过在ZnO纳米花上采用原子层沉积技术工艺制备AZO薄膜,形成了由AZO修饰的的核壳结构型工作电极,增强了功能化表面的电子传输性能,提高了工作电极的电子传输效率,能够在稳定酶吸附的基础上实现电子的快速传输,可用于制备高性能的电化学葡萄糖传感器。