一种大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构，大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构包括多个子区域，子区域呈阵列形式排列，每个子区域内部均包含多个并联的LDMOS管，同一子区域内部的LDMOS管的栅/漏/源极分别连接至同一栅/漏/源极PAD，同一子区域内部的LDMOS管的源极沿第一方向排列为多行，同一子区域内部的LDMOS管的漏极沿第一方向排列为多行，所有源极PAD均连接至RDL1层中的源极条带，所有漏极PAD均连接至RDL1层中的漏极条带，所有栅极PAD均连接至与IC驱动电路的控制IC信号引脚，所有源极条带均连接至RDL2层中源极PAD，所有漏极条带均连接至RDL2层中漏极PAD，源极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输入管脚，漏极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输出管脚。