公开(公告)号：CN118658844B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202411109711.2

申请日：2024-08-14

申请人： 深圳市晶扬电子有限公司

发明人： 杨少军 ,  刘毅

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L25/16

摘要： 一种大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构，大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构包括多个子区域，子区域呈阵列形式排列，每个子区域内部均包含多个并联的LDMOS管，同一子区域内部的LDMOS管的栅/漏/源极分别连接至同一栅/漏/源极PAD，同一子区域内部的LDMOS管的源极沿第一方向排列为多行，同一子区域内部的LDMOS管的漏极沿第一方向排列为多行，所有源极PAD均连接至RDL1层中的源极条带，所有漏极PAD均连接至RDL1层中的漏极条带，所有栅极PAD均连接至与IC驱动电路的控制IC信号引脚，所有源极条带均连接至RDL2层中源极PAD，所有漏极条带均连接至RDL2层中漏极PAD，源极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输入管脚，漏极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输出管脚。

公开(公告)号：CN118658844A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202411109711.2

申请日：2024-08-14

申请人： 深圳市晶扬电子有限公司

发明人： 杨少军 ,  刘毅

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L25/16

摘要： 一种大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构，大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构包括多个子区域，子区域呈阵列形式排列，每个子区域内部均包含多个并联的LDMOS管，同一子区域内部的LDMOS管的栅/漏/源极分别连接至同一栅/漏/源极PAD，同一子区域内部的LDMOS管的源极沿第一方向排列为多行，同一子区域内部的LDMOS管的漏极沿第一方向排列为多行，所有源极PAD均连接至RDL1层中的源极条带，所有漏极PAD均连接至RDL1层中的漏极条带，所有栅极PAD均连接至与IC驱动电路的控制IC信号引脚，所有源极条带均连接至RDL2层中源极PAD，所有漏极条带均连接至RDL2层中漏极PAD，源极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输入管脚，漏极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输出管脚。

公开(公告)号：CN118984150A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411393585.8

申请日：2024-10-08

申请人： 深圳市晶扬电子有限公司

发明人： 杨少军 ,  刘毅

IPC分类号： H03K17/06 ,  H03K17/08 ,  H03K17/687

摘要： 本发明提供了一种能够替代PMOS管的开关芯片，包括输入引脚、输出引脚、控制引脚分别能够等效替代PMOS管的源极、漏极、栅极，芯片内控制电路包括NMOS管、芯片内GND脚、浮空地检测模块、电荷泵和电荷泄放模块，NMOS管的漏极、源极分别与输入引脚、输出引脚相连，NMOS管的栅极与电荷泄放模块的输出端、电荷泵的输出端相连，浮空地检测模块与电荷泄放模块、电荷泵控制连接，控制引脚的一端与浮空地检测模块的输入端、芯片内GND脚相连，另一端与外界单片机的GPIO引脚相连。本发明的有益效果为：能够实现替代PMOS管作为开关芯片，成本低，导通阻抗好，对比传统PMOS管拥有电流检测，电压钳位等智能化功能。