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公开(公告)号：CN118658844A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411109711.2
申请日：2024-08-14
申请人： 深圳市晶扬电子有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/482 , H01L25/16
摘要： 一种大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构，大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构包括多个子区域，子区域呈阵列形式排列，每个子区域内部均包含多个并联的LDMOS管，同一子区域内部的LDMOS管的栅/漏/源极分别连接至同一栅/漏/源极PAD，同一子区域内部的LDMOS管的源极沿第一方向排列为多行，同一子区域内部的LDMOS管的漏极沿第一方向排列为多行，所有源极PAD均连接至RDL1层中的源极条带，所有漏极PAD均连接至RDL1层中的漏极条带，所有栅极PAD均连接至与IC驱动电路的控制IC信号引脚，所有源极条带均连接至RDL2层中源极PAD，所有漏极条带均连接至RDL2层中漏极PAD，源极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输入管脚，漏极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输出管脚。
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公开(公告)号：CN118571919A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411042149.6
申请日：2024-07-31
申请人： 深圳市晶扬电子有限公司
摘要： 本发明提供一种同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件及电路。本发明可控硅整流器器件包括第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型阱区和第二导电类型阱区，所述第一导电类型阱区内设有第一有源区，所述第二导电类型阱区内设有第二有源区，所述第一有源区和第二有源区均被均匀的分割为M块，M为正整数，包括交错排列的第一导电类型分割块和第二导电类型分割块，所述第一有源区内的第二导电类型分割块、所述第二有源区的第一导电类型分割块上表面均设有不完全覆盖的硅化物阻挡层。本发明可以在高低温下自动地调节器件内部的两个寄生BJT之间的正反馈强度，从而可使该器件同时适用于高低温应用场景。
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公开(公告)号：CN118425556B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410887975.4
申请日：2024-07-04
申请人： 深圳市晶扬电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有滞回特征的气流传感器，其包括一振膜，振膜承受的压力与振膜的位移之间构成一振膜压力‑位移关系曲线图，振膜压力‑位移关系曲线图具有以下特征：当振膜承受的压力从零开始增加时，振膜的位移相应增加；当振膜承受的压力增加达到一预设的触发压力值P_tr时，振膜的位移产生幅度为T1的正向跳变；当振膜承受的压力由高至低逐渐减小时，振膜的位移相应减小，当振膜承受的压力减小到一预设的释放压力值P_rs时，振膜的位移产生幅度为T2的负向跳变；其中，P_tr＞P_rs。
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公开(公告)号：CN117055425A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311171456.X
申请日：2023-09-11
申请人： 深圳市晶扬电子有限公司
IPC分类号： G05B19/042
摘要： 本发明公开了一种集成的光电开关的自动增益控制电路、一种集成的光电开关的自动增益控制方法、一种槽型光电开关、一种光纤放大器以及一种电子设备，光电开关中具有一光电流检测器件，该集成的光电开关的自动增益控制电路集成在一集成电路芯片内，其包括：前置放大电路模块、比较器电路模块、发光管驱动电路模块、驱动电流DAC电路模块、暗电流DAC电路模块以及逻辑和算法功能控制模块，前置放大电路模块连接在光电流检测器件与比较器电路模块之间，比较器电路模块进一步与暗电流DAC电路模块以及逻辑和算法功能控制模块连接，逻辑和算法功能控制模块进一步与驱动电流DAC电路模块、暗电流DAC电路模块连接。
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公开(公告)号：CN116093166B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310372166.5
申请日：2023-04-10
申请人： 深圳市晶扬电子有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种具有快速开关切换速度的高压肖特基二极管，包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型有源区及第二导电类型保护环，所述第一导电类型有源区上方设有第一金属硅化物，所述第二导电类型保护环上表面覆盖有硅化物阻挡层，所述硅化物阻挡层使所述第二导电类型保护环的电位浮空，所述第二导电类型保护环与第一导电类型阱区之间形成PN结，所述第一导电类型阱区与其表面的金属硅化物形成肖特基结；在零偏状态下，所述PN结的耗尽区能够覆盖所述肖特基结的金属硅化物的边缘。本发明能够消除正向导通时存在的少数载流子存储效应，大幅提升开关切换速度。
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公开(公告)号：CN114401011B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210038738.1
申请日：2022-01-13
申请人： 深圳市晶扬电子有限公司
IPC分类号： H03M3/00
摘要： 本发明涉及一种基于自适应增量预测调制的模拟数字转换电路及设计方法，该电路包括：求和电路，其用于对输入模拟信号与反馈信号进行比较并求差，得到误差信号；环路滤波器，其与求和电路连接，用于接收误差信号；比较器，其与所述环路滤波器连接，环路滤波器的输出信号的和通过所述比较器进行判决；自适应增量预测编解码器，其接收比较器的判决结果，根据该判决结果进行自适应增量预测编解码，得到与输入模拟信号对应的数字信号；以及数字模拟转换器，其将数字信号转换为模拟的反馈信号，该反馈信号输入到求和电路。本发明降低了因为自适应回路反复调整带来的抖动噪声，从而减少量化噪声功率，有效提高了调制器的信噪比，提升了整体性能。
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公开(公告)号：CN110596514A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910880323.7
申请日：2019-09-17
申请人： 深圳市晶扬电子有限公司
发明人： 高东兴
IPC分类号： G01R31/02
摘要： 本发明公开一种漏电检测电路、装置及方法，其中该漏电检测电路，包括供电电路、保护电路及漏电检测集成芯片；供电电路对交流电源的电压进行半波整流；漏电检测集成芯片获取半波整流后的波形信息，从所述波形信息中提取交流同步信息，根据交流同步信息，控制供电保护电路在交流幅值小于零的时间段内进行自测试，以确认保护电路是否正常；所述漏电检测集成芯片还用于在交流幅值大于预设阈值时输出漏电保护信号。本发明技术方案中通过在半波整流的负半周期内对保护电路进行自检测，避免引起误触发从而引起保护动作，同时供电电路还可以对漏电检测集成芯片供电，避免再额外设置电源，降低了电路成本。
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公开(公告)号：CN118712194B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411204070.9
申请日：2024-08-30
申请人： 深圳市晶扬电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供了一种能够适用于超宽温度范围的静电防护器，包括N型阱区内设有通过金属互联线与静电防护器阳极相连的N+重掺杂有源区和P+重掺杂有源区，P型阱区内设有通过金属互联线与静电防护器阴极相连的N+重掺杂有源区和P+重掺杂有源区，N型阱区和P型阱区之间设有SCR通路，静电防护器阳极与阴极之间还设有串联的分流模块和温控电阻模块，分流模块包括设置于N型阱区内的PMOS场效应管和设置于P型阱区内的NMOS场效应管，PMOS场效应管的漏极与NMOS场效应管的漏极相连构成分流模块分流路径。本发明的有益效果为：能够实现静电防护器周围工作环境温度变化对其维持电压影响较小。
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公开(公告)号：CN118658844B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411109711.2
申请日：2024-08-14
申请人： 深圳市晶扬电子有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/482 , H01L25/16
摘要： 一种大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构，大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构包括多个子区域，子区域呈阵列形式排列，每个子区域内部均包含多个并联的LDMOS管，同一子区域内部的LDMOS管的栅/漏/源极分别连接至同一栅/漏/源极PAD，同一子区域内部的LDMOS管的源极沿第一方向排列为多行，同一子区域内部的LDMOS管的漏极沿第一方向排列为多行，所有源极PAD均连接至RDL1层中的源极条带，所有漏极PAD均连接至RDL1层中的漏极条带，所有栅极PAD均连接至与IC驱动电路的控制IC信号引脚，所有源极条带均连接至RDL2层中源极PAD，所有漏极条带均连接至RDL2层中漏极PAD，源极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输入管脚，漏极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输出管脚。
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公开(公告)号：CN110596514B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910880323.7
申请日：2019-09-17
申请人： 深圳市晶扬电子有限公司
发明人： 高东兴
IPC分类号： G01R31/52
摘要： 本发明公开一种漏电检测电路、装置及方法，其中该漏电检测电路，包括供电电路、保护电路及漏电检测集成芯片；供电电路对交流电源的电压进行半波整流；漏电检测集成芯片获取半波整流后的波形信息，从所述波形信息中提取交流同步信息，根据交流同步信息，控制供电保护电路在交流幅值小于零的时间段内进行自测试，以确认保护电路是否正常；所述漏电检测集成芯片还用于在交流幅值大于预设阈值时输出漏电保护信号。本发明技术方案中通过在半波整流的负半周期内对保护电路进行自检测，避免引起误触发从而引起保护动作，同时供电电路还可以对漏电检测集成芯片供电，避免再额外设置电源，降低了电路成本。
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