发明公开
- 专利标题: 一种单晶硅片边缘修复装置及修复工艺
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申请号: CN202410904660.6申请日: 2024-07-08
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公开(公告)号: CN118682608A公开(公告)日: 2024-09-24
- 发明人: 谭鑫 , 赵亮 , 李海林 , 普俊
- 申请人: 曲靖阳光新能源股份有限公司
- 申请人地址: 云南省曲靖市曲靖经开区光伏一号路以东、南海大道以南(南海子工业园)
- 专利权人: 曲靖阳光新能源股份有限公司
- 当前专利权人: 曲靖阳光新能源股份有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省曲靖市曲靖经开区光伏一号路以东、南海大道以南(南海子工业园)
- 代理机构: 北京冠和权律师事务所
- 代理商 朱健
- 主分类号: B24B9/06
- IPC分类号: B24B9/06 ; B24B27/00 ; B24B41/06 ; B24B47/06 ; B24B47/22
摘要:
本发明属于硅片修复技术领域,尤其涉及一种单晶硅片边缘修复装置及修复工艺,包括单晶硅片夹持部件,单晶硅片夹持部件侧面设有打磨修复部件,打磨修复部件上装设有四个打磨石外壳,四个打磨石外壳内均交叉装设有两个打磨石支撑部件,两个打磨石支撑部件上均设有打磨石,且两个打磨石形成一定夹角,形成一定夹角的两个打磨石对单晶硅片两侧的边缘棱角同时打磨修复,相对传统单边打磨效率更高,同时四个打磨石外壳上的打磨石支撑部件分别装设四组不同粗糙程度的打磨石,依次对单晶硅片边缘打磨修复,使得打磨后的单晶硅片边缘光滑平整。