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公开(公告)号：CN118950531A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411165102.9
申请日：2024-08-23
申请人： 曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要： 本发明涉及硅片生产技术领域，本发明公开了一种成品方棒翻转擦拭装置，包括：方棒送料斜槽，若干个方棒并排放置于方棒送料斜槽内；方棒拾取单元，方棒拾取单元用于拾取滑入到方棒送料斜槽的低位端的方棒；翻转治具，翻转治具位于方棒拾取单元的下方；侧擦拭单元，侧擦拭单元位于方棒送料斜槽的下方，并靠近翻转治具设置；其中，方棒拾取单元在翻转270°到达翻转治具后，方棒上抬到预设高度。本发明提供的一种成品方棒翻转擦拭装置，取代人工完成方棒的清洁，提高了方棒的清洁效率，若干个方棒并排放置于方棒送料斜槽内，方棒顺着重力滑到方棒送料斜槽的低位端，方棒拾取单元拾取每个方棒，并将方棒放置于翻转治具上，侧擦拭单元完成方棒的擦拭。
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公开(公告)号：CN118682608A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410904660.6
申请日：2024-07-08
申请人： 曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要： 本发明属于硅片修复技术领域，尤其涉及一种单晶硅片边缘修复装置及修复工艺，包括单晶硅片夹持部件，单晶硅片夹持部件侧面设有打磨修复部件，打磨修复部件上装设有四个打磨石外壳，四个打磨石外壳内均交叉装设有两个打磨石支撑部件，两个打磨石支撑部件上均设有打磨石，且两个打磨石形成一定夹角，形成一定夹角的两个打磨石对单晶硅片两侧的边缘棱角同时打磨修复，相对传统单边打磨效率更高，同时四个打磨石外壳上的打磨石支撑部件分别装设四组不同粗糙程度的打磨石，依次对单晶硅片边缘打磨修复，使得打磨后的单晶硅片边缘光滑平整。
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公开(公告)号：CN116288661A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310358354.2
申请日：2023-04-06
申请人： 曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于拉晶炉的热场控制系统及拉晶炉，包括：炉体，硅熔体，炉体内下部设置有坩埚，坩埚内设置有熔融态的硅熔体；导流筒，坩埚上方沿炉体轴线设置有导流筒；隔热筒，硅熔体与从硅熔体拉制出的单晶硅棒之间设置有隔热筒，隔热筒与导流筒构成热屏蔽体；保温筒，炉体内设置有沿炉体轴线延伸的保温筒。本发明的目的在于提供一种结构简单、调节方便的用于拉晶炉的热场控制系统及拉晶炉。
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公开(公告)号：CN115058772B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210853980.4
申请日：2022-07-13
申请人： 昆明理工大学 , 曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种导流筒装置，包括导流筒装置本体，导流筒装置本体的第一导流件、第二导流件，第一导流件位于第二导流件上方，第二导流件与第一导流件连接，第二导流件上表面设置有嵌位件，嵌位件位于第二导流件与第一导流件连接处。第二导流件上表面设置的嵌位件设置于第二导流件与第一导流件连接处，使得对晶棒降温的惰性气体从第一导流件的通孔进入，遇到第二导流件上的通孔被堵的情况下，从第一导流件与第二导流件之间的连接处流走，第二导流件对固液界面处的熔体起到保温作用，解决了现有拉晶炉的导流筒装置会使得对晶棒降温的惰性气体接触固液界面处的熔体，使得固液界面处的熔体的温度降低，影响晶棒的生长的问题。
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公开(公告)号：CN113019644B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110409088.2
申请日：2021-04-16
申请人： 曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要： 本发明的一种块状料自动破碎装置，包括：箱体、不锈钢传输带，所述箱体的顶端设置有进料口，所述箱体底端设置有出料口，所述箱体内设置有水平方向的不锈钢传输带，所述不锈钢传输带一端位于所述进料口的下方，所述不锈钢传输带另一端位于所述出料口的上方，所述箱体内壁的顶部分别设置有加热装置和冷却器装置。本发明的目的在于提供一种粉碎效果好、效率高的块状料自动破碎装置及方法。
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公开(公告)号：CN113308746B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110593172.4
申请日：2021-05-28
申请人： 曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶炉用自动上料车，包括：行走小车；机械手，所述机械手安装于所述行走小车上；坩埚吸盘单元，所述坩埚吸盘单元安装于所述机械手前端；视频采集单元，所述视频采集单元安装于所述行走小车上，所述视频采集单元用于采集行走小车行走方向前端的视频信息；真空泵，所述真空泵安装于所述行走小车上，所述真空泵通过网纹管与坩埚吸盘单元连接。
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公开(公告)号：CN118789685A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410887969.9
申请日：2024-07-04
申请人： 曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要： 本发明提供了高精度的单晶硅片切割装置及其切割方法，通过基于待切割单晶硅片的尺寸参数，确定需要待切割单晶硅片的切割排列特征，为切割参数的确定提供基础，基于切割排列特征，基于切割装置特征，利用神经网络模型确定对待切割单晶硅片的切割速度，压力和刀片位置，在切割前准确确定出切割参数，然后基于切割速度，压力和刀片位置，确定对切割装置的控制参数，并按照控制参数对待切割单晶硅片进行切割，实现对待切割单晶硅片的高精度控制切割，最后，基于切割后得到的目标单晶硅片与标准单晶硅片之间的差异，确定对控制参数的调整方案，实现对控制参数的实时调整，提高单晶硅片的良率。
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公开(公告)号：CN116493282B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310382245.4
申请日：2023-04-12
申请人： 曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要： 本发明提供一种基于机器视觉的单品硅片快速分选系统及方法，其中系统包括：硅片分选经验库搭建模块，用于搭建硅片分选经验库，并持续更新；硅片图像获取模块，用于获取待分选的硅片的第一硅片图像；分选类型确定模块，用于基于所述第一硅片图像和所述硅片分选经验库，确定所述硅片的分选类型；分选模块，用于基于所述分选类型，对所述硅片进行分选。本发明的基于机器视觉的单品硅片快速分选系统及方法，无需分选人员基于拍摄的硅片图像进行硅片分选，极大程度上降低了人力成本，另外，更避免了分选人员可能因为疲乏、枯燥等造成硅片分选错误的问题发生。
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公开(公告)号：CN116288661B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202310358354.2
申请日：2023-04-06
申请人： 曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于拉晶炉的热场控制系统及拉晶炉，包括：炉体，硅熔体，炉体内下部设置有坩埚，坩埚内设置有熔融态的硅熔体；导流筒，坩埚上方沿炉体轴线设置有导流筒；隔热筒，硅熔体与从硅熔体拉制出的单晶硅棒之间设置有隔热筒，隔热筒与导流筒构成热屏蔽体；保温筒，炉体内设置有沿炉体轴线延伸的保温筒。本发明的目的在于提供一种结构简单、调节方便的用于拉晶炉的热场控制系统及拉晶炉。
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