本发明涉及一种TBC背接触电池的制备方法，属于光伏电池制备技术领域。包括通过对完成碱抛光处理后的N型硅片背面进行LPCVD处理、硼扩散处理、第一次激光改性处理和第一次清洗，使得N型硅片背面的第二区域形成第一隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层和BSG层；通过对N型硅片背面进行PECVD处理、退火处理、第二次激光改性处理和第二次清洗，使得N型电池硅片背面的第一区域形成第二隧穿氧化层、第二掺杂多晶硅层和PSG层。本发明仅通过两次激光改性处理和两次清洗处理就可形成交叉分布的P型区域、N型区域和隔离区域，制备工艺更加简单，降低了TBC电池的制备成本；并且不需要的区域清洗的更彻底，提高了光电转换率和合格率。