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公开(公告)号：CN117594502A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311586751.1
申请日：2023-11-24
申请人： 晋能光伏技术有限责任公司 , 晋能清洁能源科技股份公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种湿法花篮，属于光伏电池制造技术领域。包括两个侧板、八根定位杆和多个定位齿。通过设置两个侧板、八根定位杆和多个定位齿，且多个定位齿均匀的连接在八根定位杆上，八根定位杆两端的端部也连接有定位齿，增加了本发明的承载能力，提高了本发明的利用率；八根定位杆中的其中两根连接在两个所述侧板的底部，其余六根定位杆分别连接在两个侧板的两侧，相较于现有技术中的六根定位杆，八根定位杆使本发明可同时承载正方形电池硅片和矩形电池硅片，扩大了本发明承载电池硅片的尺寸范围；将定位齿的横截面形状设置为类四棱锥，可减小定位齿与电池硅片表面的接触面积，防止定位齿对电池硅片表面造成齿印，提高了电池硅片的合格率。
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公开(公告)号：CN117255597A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311452700.X
申请日：2023-11-02
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 , 晋能光伏技术有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种提高叠层钙钛矿光伏电池电性能的制备方法，属于光伏电池制备技术领域。包括S1，对硅片进行LED处理以破坏硅片中的硅‑氢结构；S2，对进行所述LED处理后的所述硅片进行暗退火处理以释放氢原子；S3，对进行所述暗退火处理的所述硅片进行紫外辐照处理；S4，对进行所述紫外辐照处理处理的所述硅片进行热处理以分解所述硅片中的钙钛矿。通过设置通过硅片进行暗退火处理和LED处理，以及进行紫外辐照处理和热处理，可使得硅片的钝化效果变好，导致开路电压提升以及串联电阻降低，从而使得填充因子提升电阻率下降，导电性能增强，提高了叠层钙钛矿光伏电池的开路电压和填充因子，提高叠层钙钛矿光伏电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN117239009A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311301643.5
申请日：2023-10-09
申请人： 晋能光伏技术有限责任公司 , 晋能清洁能源科技股份公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及一种基于PECVD工艺的电池钝化结构的制备方法，属于光伏电池制造技术领域。包括对装载有N型硅片的炉管进行预热处理和第一次抽真空处理；对N型硅片进行第一次预沉积处理及第一次辉光放电以形成隧穿氧化层；对形成隧穿氧化层的N型硅片进行多次预沉积处理及多次辉光放电形成多层poly层；对形成多层poly层的N型硅片进行第五次预沉积处理及第五次辉光放电形成Mask层。N型硅片背面形成多层poly层，可阻挡和缓冲掺杂poly层中部分成分进入N型硅片中，保证钝化效果，还能够使后续工序所形成的膜层结构更加均匀；PECVD工艺制备钝化结构可提高最终成膜速率、减轻最终成膜绕度现象，降低反应设备的沉积情况。
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公开(公告)号：CN112760614B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202011450538.4
申请日：2020-12-09
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/505 , C23C16/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法，属于太阳能电池技术领域。包括以下步骤：预沉积：采用PECVD镀膜设备，在一定的压力和功率下，通入NH3气体，经沉积得镀膜A；沉积第一层SiNx层：在一定的压力和功率下，分别向镀膜A通入SiH4和NH3气体，经沉积得镀膜B；沉积第二层SiNx层：在一定的压力和功率下，分别向镀膜B通入SiH4和NH3气体，经沉积得多晶PECVD镀膜。本发明在常规PECVD设备的基础上，沉积SiNx减反射膜，通过控制两层膜的厚度与折射率，提高对光吸收，利用SiNx物理稳定性，减少光学损失，提高电池效率，优化电池片成品颜色，且本发明不增加生产成本，易于实现。
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公开(公告)号：CN114188432A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111490927.4
申请日：2021-12-08
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0725 , H01L31/20
摘要： 本发明提供一种新型微晶‑晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法，包括硅衬底，所述硅衬底的一面依次叠加设置正面本征非晶硅层、正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、正面TCO层，所述硅衬底的另一面依次叠加设置背面本征非晶硅层、背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、背面TCO层，在所述正面本征非晶硅层和所述正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置正面本征微晶硅/纳米晶硅层，和/或在所述背面本征非晶硅层和所述背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置背面本征微晶硅/纳米晶硅层。本发明的有益效果在于，可以提高200‑1150光波段的综合利用率，从而提高电池光电转化效率。
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公开(公告)号：CN112701194A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011595645.6
申请日：2020-12-29
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/072
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池，包括：硅层衬底，依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极；以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极；其中，所述第一导电膜层与第二导电膜层工艺采用不同的氧氩比。本发明制备工艺在原有工艺的基础上，对正面和背面的导电膜层采用不同的镀膜工艺，通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池，既不影响其余性能，同时可将电池正面膜层的载流子迁移率提升，从而提升电池片的短路电流，将电池背面膜层的方块电阻降低，从而获得高的填充因子，从而带来效率的提升，具有深远的市场发展前景。
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公开(公告)号：CN112652679A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011462397.8
申请日：2020-12-11
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/673 , C23C16/458 , C23C16/54
摘要： 本发明公开了一种板式TCO镀膜载板结构，包括基座和多个载板；基座具有多个载台；多个载板分别固定在多个载台上部。本发明通过将大尺寸载板分成若干个小尺寸载板，并分别安装固定在分割为多个载台的基座上，能够降低TCO镀膜过程中载板形变风险，增加抗性，同时减少TCO镀膜载板喷砂维护运输成本。
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公开(公告)号：CN111584661A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010365287.3
申请日：2020-04-30
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/18 , B32B27/08 , B32B27/30 , B32B27/32
摘要： 本发明公开了一种横向多层共挤胶膜及其裁切组装结构和封装方法，横向多层共挤胶膜，包括中间膜层，以及共挤成型在中间膜层侧边的边框膜层；边框膜层分别位于中间膜层沿长度方向的两侧，且中间膜层和边框膜层在同一平面内；中间膜层为EVA层或EVA与POE相间层；边框膜层为POE层；将横向多层共挤胶膜沿长度方向裁剪为矩形胶膜结构；矩形胶膜结构的横向方向的边沿贴合有与边框膜层封闭的POE条膜，本发明还提供了相应的封装方法，利用POE具有高的阻水性和不水解性的优势，避免水汽对EVA层的侵蚀，提高组件抗水汽性能，可以有效地保护EVA不发生或延缓水解，汇流条不发生或延缓氧化，操作简单有效，推广性强。
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公开(公告)号：CN117253944A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311451801.5
申请日：2023-11-02
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 , 晋能光伏技术有限责任公司
摘要： 本发明属于太阳能电池制造技术领域，具体公开一种太阳电池隧穿氧化层的制备方法，该方法通过对PECVD隧穿氧化层的沉积工艺进行改进，来提高PECVD的效率，以提高效率良率。具体来说，是在恒定压力内两次通入不同组分的混合气体后并进行辉光放电，其中两次混合气体中均包含有氢气组分，在隧穿氧化层生长过程中增加氢气作为反应气体，来对背面不饱和键进行一次H钝化，此H键由氢气被电离后释放所得，以此来增强钝化作用，最终提升电池片效率良率。
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公开(公告)号：CN114335242B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111576918.7
申请日：2021-12-22
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种用于提升太阳能电池填充因子的制备方法及系统。该方案包括加入氢氧化钾、双氧水、去离子水生产第一溶液，对硅片进行冲洗；加入去离子水后，依次加入氢氧化钾、制绒添加剂，搅拌均匀；将洗后硅片利用第一溶液进行冲洗；将冲洗后硅片放入第三溶液；将冲洗后硅片放入第四溶液；将冲洗后硅片放入第五溶液；将冲洗后硅片放入第六溶液；对冲洗后硅片利用第四溶液冲洗1‑2分钟，沉积非晶硅薄膜和磁控沉积透明导电薄膜，制备成品电池片。该方案通过自动控制制绒清洗浓度、时间、工艺方法，使绒面结构更均匀，提升浆料填充效果，降低栅线接触硅衬底时的串联电阻，提高电池的填充因子，提高异质结电池转换效率。
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