湿法花篮
    1.
    发明公开
    湿法花篮 审中-实审

    公开(公告)号:CN117594502A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311586751.1

    申请日:2023-11-24

    IPC分类号: H01L21/673 H01L31/18

    摘要: 本发明涉及一种湿法花篮,属于光伏电池制造技术领域。包括两个侧板、八根定位杆和多个定位齿。通过设置两个侧板、八根定位杆和多个定位齿,且多个定位齿均匀的连接在八根定位杆上,八根定位杆两端的端部也连接有定位齿,增加了本发明的承载能力,提高了本发明的利用率;八根定位杆中的其中两根连接在两个所述侧板的底部,其余六根定位杆分别连接在两个侧板的两侧,相较于现有技术中的六根定位杆,八根定位杆使本发明可同时承载正方形电池硅片和矩形电池硅片,扩大了本发明承载电池硅片的尺寸范围;将定位齿的横截面形状设置为类四棱锥,可减小定位齿与电池硅片表面的接触面积,防止定位齿对电池硅片表面造成齿印,提高了电池硅片的合格率。

    一种模块化快速拼接的光伏组件

    公开(公告)号:CN114244263B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202111542649.2

    申请日:2021-12-16

    IPC分类号: H02S30/10 H02S40/36

    摘要: 本发明提供一种模块化快速拼接的光伏组件,包括多个模块组件和总装连接器,多个模块组件之间串联和/或并联连接;模块组件包括层压件和插接与层压件四周的上边框、下边框、左边框和右边框;所述总装连接器包括与所有模块组件的上边框连接的正极连接器和与所有模块组件的下边框连接的负极连接器。本发明设计巧妙,结构简单,可以作为简易太阳能电池组件,降低了组件的运输安装成本,更降低了组件损坏后的更换成本,适于各种组件广泛应用。

    一种多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法

    公开(公告)号:CN112760614B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202011450538.4

    申请日:2020-12-09

    摘要: 本发明公开了一种多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法,属于太阳能电池技术领域。包括以下步骤:预沉积:采用PECVD镀膜设备,在一定的压力和功率下,通入NH3气体,经沉积得镀膜A;沉积第一层SiNx层:在一定的压力和功率下,分别向镀膜A通入SiH4和NH3气体,经沉积得镀膜B;沉积第二层SiNx层:在一定的压力和功率下,分别向镀膜B通入SiH4和NH3气体,经沉积得多晶PECVD镀膜。本发明在常规PECVD设备的基础上,沉积SiNx减反射膜,通过控制两层膜的厚度与折射率,提高对光吸收,利用SiNx物理稳定性,减少光学损失,提高电池效率,优化电池片成品颜色,且本发明不增加生产成本,易于实现。

    一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法

    公开(公告)号:CN110993723B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN201910984235.1

    申请日:2019-10-16

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本发明公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法,采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→包装入库的方法制备而成,所述刻蚀通过刻蚀槽刻蚀→水槽冲洗→碱槽中和→水槽冲洗→酸槽除杂→水槽冲洗→烘干→自动化下料→转向升降的刻蚀方法,将传输皮带转向升降距离限定为0.5‑1.5mm,并在硅片接触传输皮带后使传输皮带速度由零加速至3‑5m/min的工作速度,从而不仅有效有效减小了刻蚀工序中传输皮带与硅片正面的摩擦,减小了硅片的损伤,又不影响硅片正常的生产效率,同时还有效减少了硅片的堵片率和碎片率,提升了硅片的质量品质。

    一种异质结太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN112701194A

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN202011595645.6

    申请日:2020-12-29

    摘要: 本发明公开了一种异质结太阳能电池,包括:硅层衬底,依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极;以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极;其中,所述第一导电膜层与第二导电膜层工艺采用不同的氧氩比。本发明制备工艺在原有工艺的基础上,对正面和背面的导电膜层采用不同的镀膜工艺,通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池,既不影响其余性能,同时可将电池正面膜层的载流子迁移率提升,从而提升电池片的短路电流,将电池背面膜层的方块电阻降低,从而获得高的填充因子,从而带来效率的提升,具有深远的市场发展前景。

    一种异质结太阳能电池的制备工艺

    公开(公告)号:CN112466989A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011262587.5

    申请日:2020-11-12

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/072

    摘要: 本发明公开了一种异质结太阳能电池的制备工艺,包括如下步骤:对硅片进行磷吸杂处理,在硅片正背表面沉积形成磷扩散层,然后通过酸刻蚀去除磷扩散层;通过碱溶液对硅片表面进行清洗,形成硅片表面的织构化;在织构化的硅片正背面沉积非晶硅薄膜层;在非晶硅薄膜层上正背面沉积导电薄膜层;在导电薄膜层上正背面覆盖金属电极;固化金属电极;测试分选。本发明提供的一种异质结太阳能电池的制备工艺,极大程度上改善了生产过程中硅片品质问题带来的影响,从而进一步提升了异质结太阳能电池的转换效率。