Invention Publication
- Patent Title: 具有上导电图案的半导体装置和包括其的半导体封装件
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Application No.: CN202410326432.5Application Date: 2024-03-21
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Publication No.: CN118738021APublication Date: 2024-10-01
- Inventor: 慎重垣 , 李瑌真 , 李钟旼 , 崔智旻
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 赵南; 王慧敏
- Priority: 10-2023-0040295 20230328 KR
- Main IPC: H01L23/528
- IPC: H01L23/528 ; H01L23/522 ; H01L25/16
Abstract:
提供一种半导体装置和一种半导体封装件。该半导体装置包括：半导体衬底上的绝缘结构；绝缘结构中的下导电图案；绝缘结构上的上导电图案；绝缘结构中的导电过孔件，导电过孔件将上导电图案中的至少一个连接到下导电图案中的至少一个；覆盖绝缘结构和上导电图案的保护层；覆盖保护层的蚀刻停止层；在蚀刻停止层的位于上导电图案之间的部分上的第一钝化层；以及第一钝化层上的上钝化层。
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IPC分类:
