本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，其中，半导体器件的制造方法至少包括以下步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成N‑外延层；在N‑外延层中形成由表面打开至内部的至少两个沟槽；通过第一次外延填充在沟槽内形成本征填充层，本征填充层覆盖沟槽的底部和侧面；通过至少一次外延填充形成覆盖本征填充层的至少一层P型填充层，至少一层P型填充层将剩余的沟槽部分填满；执行退火工艺，以使P型填充层中的P型杂质向本征填充层扩散但不越过本征填充层与N‑外延层的边界。通过该半导体器件的制造方法可以避免杂质直接扩散至N型区而影响N型区的宽度，保证了器件较低的导通电阻。