公开(公告)号：CN118367028B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410796381.2

申请日：2024-06-20

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 杨同同 ,  杨列勇 ,  李科 ,  张文鑫 ,  刘铮 ,  颜天才 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的有源区和终端区；有源区包括形成于半导体衬底正面的元胞结构、形成于元胞结构之上的栅极多晶硅以及与元胞结构电连接的互联金属，在栅极多晶硅和互联金属之间形成有层间隔离介质；终端区形成于有源区的外围，在终端区中形成有第一隔离介质；在所述有源区和所述终端区之上覆盖有第二隔离介质，第二隔离介质具有平坦的上表面；在第二隔离介质的上表面键合连接半导体基板作为终端区的场板结构。在该半导体器件中，一方面改进了传统的终端场板结构，减少了高度差对工艺的影响，使得终端结构更可靠，另一方面衬底晶圆可更高效的减薄，提升器件的综合性能。

公开(公告)号：CN118841314A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410816050.0

申请日：2024-06-24

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 张文鑫 ,  李科 ,  杨同同 ,  杨列勇 ,  黄任生 ,  颜天才 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，其中，半导体器件的制造方法至少包括以下步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成N‑外延层；在N‑外延层中形成由表面打开至内部的至少两个沟槽；通过第一次外延填充在沟槽内形成本征填充层，本征填充层覆盖沟槽的底部和侧面；通过至少一次外延填充形成覆盖本征填充层的至少一层P型填充层，至少一层P型填充层将剩余的沟槽部分填满；执行退火工艺，以使P型填充层中的P型杂质向本征填充层扩散但不越过本征填充层与N‑外延层的边界。通过该半导体器件的制造方法可以避免杂质直接扩散至N型区而影响N型区的宽度，保证了器件较低的导通电阻。

公开(公告)号：CN118367028A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410796381.2

申请日：2024-06-20

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 杨同同 ,  杨列勇 ,  李科 ,  张文鑫 ,  刘铮 ,  颜天才 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的有源区和终端区；有源区包括形成于半导体衬底正面的元胞结构、形成于元胞结构之上的栅极多晶硅以及与元胞结构电连接的互联金属，在栅极多晶硅和互联金属之间形成有层间隔离介质；终端区形成于有源区的外围，在终端区中形成有第一隔离介质；在所述有源区和所述终端区之上覆盖有第二隔离介质，第二隔离介质具有平坦的上表面；在第二隔离介质的上表面键合连接半导体基板作为终端区的场板结构。在该半导体器件中，一方面改进了传统的终端场板结构，减少了高度差对工艺的影响，使得终端结构更可靠，另一方面衬底晶圆可更高效的减薄，提升器件的综合性能。