发明公开
- 专利标题： 多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件及其制备工艺
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申请号： CN202311732220.9申请日： 2023-12-15
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公开(公告)号： CN118888584A公开(公告)日： 2024-11-01
- 发明人: 廖巍 , 华路佳 , 吕春
- 申请人： 无锡旷通半导体有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市新吴区新安街道清源路20号立业楼C521
- 专利权人： 无锡旷通半导体有限公司
- 当前专利权人： 无锡旷通半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市新吴区新安街道清源路20号立业楼C521
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L21/306 ; H01L21/223 ; H01L21/265
摘要：
本申请公开了一种多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件，包括，衬底，所述衬底上制备硅外延层，所述硅外延片的表面推进有P型体区和有源区N型离子层，所述有源区N型离子层的深度大于P型体区；有源区沟槽，所述有源区沟槽开设于硅外延层上，且深度介于P型体区和有源区N型离子层之间；一级沟槽，所述一级沟槽开设于硅外延层上；二级沟槽，所述二级沟槽开设于硅外延层上，所述二级沟槽沿所述一级沟槽的侧壁开设，且所述二级沟槽的宽度大于一级沟槽、深度小于一级沟槽。本申请使用多次挖槽刻蚀技术实现多层级沟槽，在沟槽底部实现深注入的半包屏蔽隔离的离子注入层，减少芯片面积的同时实现优良的导通电阻与通流能力。
IPC分类:
