本发明涉及中子源靶领域，公开了一种电沉积‑磁控溅射制备加速器中子源锂靶过渡层的方法，包括：1）将铜基体作为阴极，铜片作为阳极，置于含铜离子的电解液中，进行电化学沉积，于铜基体表面形成具有粗糙表面的铜沉积层；2）通过磁控溅射于铜沉积层表面构建过渡层。本发明首先通过电化学沉积法对铜基体进行表面处理，调整沉积参数可实现单质铜在基体表面粗糙度的调控，该方法可适用于各种形状的铜基体；在此基础之上本发明再通过磁控溅射技术，在粗糙基体表面实现过渡层的沉积，所得过渡层与基体之间内应力小，结合力高。