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公开(公告)号：CN118957584A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411426016.9
申请日：2024-10-14
申请人： 华硼中子科技(杭州)有限公司
摘要： 本发明涉及中子源靶领域，公开了一种电沉积‑磁控溅射制备加速器中子源锂靶过渡层的方法，包括：1）将铜基体作为阴极，铜片作为阳极，置于含铜离子的电解液中，进行电化学沉积，于铜基体表面形成具有粗糙表面的铜沉积层；2）通过磁控溅射于铜沉积层表面构建过渡层。本发明首先通过电化学沉积法对铜基体进行表面处理，调整沉积参数可实现单质铜在基体表面粗糙度的调控，该方法可适用于各种形状的铜基体；在此基础之上本发明再通过磁控溅射技术，在粗糙基体表面实现过渡层的沉积，所得过渡层与基体之间内应力小，结合力高。
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公开(公告)号：CN118500309B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410948496.9
申请日：2024-07-16
申请人： 华硼中子科技(杭州)有限公司
摘要： 本发明提供一种中子源靶体的抗氢脆层目标厚度获取方法、终端及介质，其中，方法包括：利用物理场拟合方法，对包含有抗氢脆层的靶体分别执行基于沉积分布上的氢扩散性能拟合和基于能量分布的热性能拟合，以对应获取与当前厚度对应的氢原子浓度分布特征和对应的温度分布特征；检测所述氢原子浓度分布特征是否满足氢原子浓度场预设条件，和检测所述温度分布特征是否满足温度场预设条件；于两者均满足时，则将抗氢脆层的当前厚度作为抗氢脆层目标厚度；本发明可以快速、便捷地获取与靶体其他层的物理场性能相适配的抗氢脆层的目标厚度，于提升靶体的抗氢性能的同时，有效地提高了靶体的整体性能。
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公开(公告)号：CN118945971A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411426020.5
申请日：2024-10-14
申请人： 华硼中子科技(杭州)有限公司
摘要： 本发明涉及中子源靶领域，公开了一种含多浓度抗氢脆层的加速器中子源靶及其制备方法。首先，本发明加速器中子源的多浓度V‑Ta抗氢脆层以V‑Ta复合材质作为原料，并控制Ta含量由基体至靶材层方向在特定范围内递增，可在抗氢脆层较厚情况下仍具有较低的应力，因此可有效避免抗氢脆层的开裂或脱落；其次，本发明通过溅射功率的差异化设置来构建形成Ta含量递增的多浓度V‑Ta抗氢脆层。在此基础上，本发明还通过小车速率来优化抗氢脆层不同厚度中Ta、V原子的混乱程度以及物相结构，从而有利于获得性能更佳的抗氢脆层。
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公开(公告)号：CN118376832B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410822926.2
申请日：2024-06-25
申请人： 华硼中子科技(杭州)有限公司
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明公开了一种用于硼中子俘获治疗系统的靶电流监测装置，包括束流整形体和设置在束流整形体质子通道内部的更换式靶件，还包括独立于靶件的自动导通检测装置，所述自动导通检测装置包括有触接件和与触接件电连接的外部电流监测设备，所述的触接件设置在靶件移动路径上，所述的触接件与靶件触接后与外部电流监测设备形成通路。该用于硼中子俘获治疗系统的靶电流监测装置，由于自动导通检测装置与靶组件独立设置，不存电线硬连接，因此，不需要在辐射环境下人工解除靶与外部电流监测设备的连接，不存在换靶以及靶收容过程中对外部电流监测设备进行拉扯的问题，能够在全自动的情况下对靶的电流进行实时读取，能够实现靶的自动更换、移动、收容。
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公开(公告)号：CN118380178B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410814360.9
申请日：2024-06-24
申请人： 华硼中子科技(杭州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种兼容旋转靶和固定靶的硼中子俘获治疗装置及换靶方法，旨在解决硼中子俘获治疗装置无法实现固定靶和旋转靶的兼容安装，这给设备的调整更新带来了不便的不足。该发明包括束流整形体和真空管道，束流整形体包括基台，基台两侧分别设置反射体模块和背反射体，基台上设置能容纳旋转靶模块的兼容腔；采用旋转靶时，旋转靶模块安装在兼容腔，真空管道与旋转靶模块连接；采用固定靶时，固定靶可拆卸安装在真空管道上。硼中子俘获治疗装置能同时满足固定靶和旋转靶的布置需求，便于设备的调整更新。
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公开(公告)号：CN118591072A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410505433.6
申请日：2024-04-25
申请人： 华硼中子科技(杭州)有限公司
摘要： 本发明涉及核技术领域，公开了一种基板结构、靶系统及其制备方法。该靶系统包括基板，所述基板的上表面为蜂窝状结构，所述蜂窝状结构中相邻通孔之间的交界处设置有若干导流孔，各通孔内由下到上依次设置有氢扩散层、靶材层及氧化缓解层。本发明对靶系统的基板结构进行优化后可在靶材层发生核反应放出氢气时，加快氢气的扩散速度，从而显著提高靶系统的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118450586A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410558773.5
申请日：2024-05-06
申请人： 华硼中子科技(杭州)有限公司
IPC分类号： H05H6/00
摘要： 本发明涉及核技术领域，公开了一种高结合力多梯度靶系统及其制备方法。该多梯度靶系统包括：基底，设于基底上表面的氢扩散层，设于氢扩散层表面的靶材层。氢扩散层以氢扩散材料为基质，基质中分散有与基底材质相同的掺杂元素，且由下到上氢扩散层中所述掺杂元素的含量多梯度降低。本发明将靶系统的氢扩散层设计为不同元素比例的多层梯度结构，能够显著提高氢扩散层与基底的结合力，同时也更有助于氢的扩散和迁移，可极大降低膜层剥落、鼓泡的几率，从而延长靶系统的使用寿命。本发明采用多次喷涂且喷枪移动速率、氢气流量逐次降低的方式，可成功在基底上构建形成具有多层梯度结构的氢扩散层。
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公开(公告)号：CN118895481A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410441509.3
申请日：2024-04-12
申请人： 华硼中子科技(杭州)有限公司
摘要： 本发明涉及中子源靶领域，公开了一种加速器中子源靶Ta‑Ti二元吸氢过渡层及其制备方法。该Ta‑Ti二元吸氢过渡层通过磁控共溅射技术沉积于基体表面，所述Ta‑Ti二元吸氢过渡层中包括均匀分布的钽和钛；钽和钛的质量比为80:20‑90:10。本发明通过磁控共溅射技术于加速器中子源靶的基体表面构建Ta‑Ti二元吸氢过渡层，该Ta‑Ti二元吸氢过渡层残余内应力低，与基体结合力高，不易开裂及脱落；此外，本发明方法简单，无需更换靶材，溅射效率高。
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公开(公告)号：CN118410686A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410883350.0
申请日：2024-07-03
申请人： 华硼中子科技(杭州)有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G06F30/27 , G16H50/50 , G06F111/10
摘要： 本发明提供一种靶体温升的数值模拟方法及装置、存储介质与终端，其中方法包括获取靶体有限元模型，获取带电粒子束团的束团参数；基于束团参数获取对应的粒子空间位置坐标分布数据；基于带电粒子空间位置坐标分布数据对带电粒子分布进行三维方向上的坐标拟合，获取对应的带电粒子沿预设二维方向上分布的表达式，以作为束团参数对应的带电粒子分布特征；获取仿真工况参数，根据仿真工况参数和带电粒子分布特征，采用有限元分析方法对束团轰击靶体有限元模型的过程进行仿真，以获取靶体有限元模型被轰击后的靶体表面温度分布。本发明可以有效实现了对靶体温升的温度评估。
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公开(公告)号：CN118370939A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410822930.9
申请日：2024-06-25
申请人： 华硼中子科技(杭州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种硼中子俘获治疗系统，包括带有质子通道的束流整形体和滑动设置在质子通道内部的更换式靶组件，在束流整形体的外部设置有电流监测设备，所述的靶组件上设置有动触点，所述的电流监测设备上设置有与动触点形成移动触接导电模式的静触点。该硼中子俘获治疗系统，电流监测设备与靶组件之间通过移动触接导电模式进行连接，避免了采用线路硬连接而对靶组件移动、自动更换、收容等的影响，可以进行自动调整、接触通电，不接触断电等操作，能够在全自动的情况下对靶电流进行实时测量读取，不需要人工手动断开操作，降低了辐射风险，提高了自动换靶、移动、收容、监测操作效率。
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