发明授权
CN1225028C 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
- 专利标题（英）： Semiconductor device with partical insulator base or partial hollow-base epitaxial silicon structure
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申请号： CN03104114.0申请日： 2003-02-13
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公开(公告)号： CN1225028C公开(公告)日： 2005-10-26
- 发明人: 山田敬 , 佐藤力 , 新田伸一 , 永野元 , 水岛一郎 , 亲松尚人 , 南良博 , 宫野信治 , 藤井修
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权： 035681/2002 2002.02.13 JP
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L27/04 ; H01L27/12
摘要：
一种半导体器件，包括：第1、第2半导体层和第1、第2MOS晶体管。第1半导体层，设置在半导体衬底上边，且已与上述半导体衬底电连起来。第2半导体层，设置在上述第1半导体层的附近，且与半导体衬底电隔离。第1、第2MOS晶体管，分别设置在上述第1、第2半导体层上边，分别具有与上述第1、第2半导体层的边界平行地配置的栅极电极。
公开/授权文献
- CN1438712A 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件 公开/授权日：2003-08-27
IPC分类:
