本发明公开了一种采用V型槽介质隔离技术的体硅加工方法，涉及微电子机械系统领域中的一种微电子机械系统器件结构的制造。它采用电感耦合干法刻蚀工艺在硅片上制造出V型槽，采用介质淀积二氧化硅填充此V型槽，隔离槽深度可以达到10～200微米，远远深于通常的半导体介质隔离技术，适合于制造出在机械上连接，电学上隔离的微机械结构。本发明还具有工艺简单、可重复性好的优点。本发明适合于电容式微加速度计、微陀螺、光开关、微机械微波开关等多种微机械器件的制作。