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公开(公告)号：CN111968953A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010870994.8
申请日：2020-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明适用于半导体集成封装技术领域，提供了一种硅通孔结构及其制备方法，该硅通孔结构包括：衬底和贯穿衬底上下表面的通孔阵列；通孔阵列中每个通孔包括一个下部孔和至少一个上部孔，每个上部孔均和下部孔连通，每个上部孔的孔径均小于下部孔的孔径。本发明通过孔径相对较小的上部孔和孔径相对较大的下部孔，可以实现不同尺寸等级芯片之间的层间互连，而且由于每个上部孔的孔径均小于下部孔的孔径，同时提高了不同尺寸等级芯片层间互连的集成度和可靠性。
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公开(公告)号：CN105836699B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610357779.1
申请日：2016-05-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及半导体晶圆芯片的加工方法技术领域，尤其是涉及MEMS圆形芯片的划片技术领域，具体公开了一种圆形芯片的加工方法，晶圆上制备贯通孔得到圆形芯片，芯片之间仅通过带小凹槽的支撑梁连接，芯片的分离仅需切断支撑梁，划片难度低，能够采用常用的砂轮切割，具有工艺简单、低成本、高效率的优点，所得分离后芯片的外观好、成品率高、机械强度高。
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公开(公告)号：CN100363752C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410074075.0
申请日：2004-09-03
申请人： 清华大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/028
摘要： 水平式隧穿磁强计，属于传感器技术领域。为了解决现有技术中隧穿式磁强计的加工难度大的问题，本发明公开了一种用于磁场测量的微小型水平式隧穿磁强计，包括表头芯片和反馈控制电路部分，表头芯片由硅片和玻璃两部分键合而成，所述硅片部分包括质量弹簧系统和线圈，在所述质量弹簧系统中，仅有一个表面加工了线圈，由被测磁场和所述线圈中电流产生的洛伦兹力方向与所述质量弹簧系统中加工了线圈的表面平行。本发明的优点在于：敏感元件只有一个表面需要加工，可以较大地降低敏感元件的加工难度。同时由于主体部分都在磁强计的硅片上加工，可以有效降低硅片和玻璃所需要的对准精度。
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公开(公告)号：CN1247443C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN03112020.2
申请日：2003-03-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种全干法刻蚀硅溶片制造方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统器件结构的制造。它采用玻璃片、硅片、硅片的三层结构。利用全干法工艺实现MEMS可动硅结构制造。并且本发明还具有制造工艺简单，能采用普通常用工艺设备制造及封装，降低了制造成本。制造的可动硅结构厚度较厚，提高了器件的电气性能和可靠性，能普及应用于MEMS惯性器件、光学器件、微波器件、压力传感器件等多种MEMS器件制造。
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公开(公告)号：CN1241044C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03143278.6
申请日：2003-09-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种采用V型槽介质隔离技术的体硅加工方法，涉及微电子机械系统领域中的一种微电子机械系统器件结构的制造。它采用电感耦合干法刻蚀工艺在硅片上制造出V型槽，采用介质淀积二氧化硅填充此V型槽，隔离槽深度可以达到10～200微米，远远深于通常的半导体介质隔离技术，适合于制造出在机械上连接，电学上隔离的微机械结构。本发明还具有工艺简单、可重复性好的优点。本发明适合于电容式微加速度计、微陀螺、光开关、微机械微波开关等多种微机械器件的制作。
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公开(公告)号：CN1488965A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03143278.6
申请日：2003-09-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种采用V型槽介质隔离技术的体硅加工方法，涉及微电子机械系统领域中的一种微电子机械系统器件结构的制造。它采用电感耦合干法刻蚀工艺在硅片上制造出V型槽，采用介质淀积二氧化硅填充此V型槽，隔离槽深度可以达到10～200微米，远远深于通常的半导体介质隔离技术，适合于制造出在机械上连接，电学上隔离的微机械结构。本发明还具有工艺简单、可重复性好的优点。本发明适合于电容式微加速度计、微陀螺、光开关、微机械微波开关等多种微机械器件的制作。
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公开(公告)号：CN112758885A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011567365.4
申请日：2020-12-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明适用于MEMS微细加工技术领域，提供了一种MEMS异形芯片的切割方法，包括：确定MEMS晶圆正面异形芯片的划片道、并制备分离槽，所述分离槽的深度大于所述异形芯片的厚度；在所述MEMS晶圆的正面粘贴第一胶膜，采用研磨的方法对所述MEMS晶圆的背面进行减薄加工，直至研磨掉所述分离槽的槽底；在减薄后的MEMS晶圆背面粘贴第二胶膜，剥离所述第一胶膜，得到多个独立的MEMS异形芯片。本发明通过在MEMS晶圆正面制备分离槽，反面研磨减薄，实现了异形芯片的分离。
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公开(公告)号：CN112649144A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011502888.0
申请日：2020-12-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01L11/02
摘要： 本发明提供了一种基于光学检测的耐高温压力传感器封装结构，属于传感器技术领域，包括芯片组件，光纤组件和壳体组件，芯片组件包括具有容置腔的烧结座和固定在容置腔内的芯片；烧结座固定在壳体组件内；光纤组件包括衬套以及固定于衬套内的光纤；衬套的一端嵌装于烧结座的容置腔内、另一端伸出容置腔及壳体组件，且衬套与壳体组件为螺纹连接；光纤朝向芯片背面的一端面为平整端面，光纤的另一端伸出衬套；其中，芯片的背面、容置腔内壁及平整端面围成真空的F‑P腔，通过调节衬套的位置，以调节F‑P腔的厚度。本发明提供的基于光学检测的耐高温压力传感器封装结构，可解决高温环境下对传感器的灵敏度进行可控调节的问题。
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公开(公告)号：CN104864988A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510317403.3
申请日：2015-06-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种硅岛膜结构的MEMS压力传感器及其制作方法，涉及压力传感器技术领域。本发明采用单片SOI材料制备压力传感器，芯片尺寸可以做到毫米量级，与相同规格的硅杯型压力传感器相比，晶圆上的管芯数有一个数量级上的提高；采用硅岛膜结构的传感模式，测量灵敏度提高；制备工艺简单，传感器成本大幅下降；利用SOI材料的第二硅层厚度误差小的特点制备传感膜，测量灵敏度、精度均有提高；双掩膜刻蚀方式避免了因一次刻蚀后形成大台阶而影响后续光刻工艺的光刻胶覆盖不上的问题，不仅可简化工艺，还为高深宽比刻蚀工艺提供了另一种解决办法；此外，本发明的压力传感器的压阻在绝缘层上形成，能够保证在300℃高温环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN102701137B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210202946.7
申请日：2012-06-19
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种具有三维止档结构的抗过载MEMS器件及其加工方法，属于微机械加工工艺技术领域。MEMS器件包括底座、盖帽以及位于底座和盖帽之间的结构层，底座与结构层之间、盖帽与结构层之间均为周边键合，底座的上表面、与活动结构相对应位置设有腔体，腔体中设有底座止档，盖帽的下表面、与活动结构相对应位置设有腔体，腔体中设有盖帽止档。通过在底座和盖帽上刻蚀浅腔、刻蚀深腔、制作Z方向止档及键合完成加工。本发明中增加了Z方向上的止档结构，工艺过程简单，成本低，可批量生产，并且有效地提高了MEMS器件的三维抗过载性能，增强了MEMS器件的可靠性和安全性。
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