发明公开
CN1255169A 缺陷密度低,空位占优势的硅
失效 - 权利终止
- 专利标题： 缺陷密度低,空位占优势的硅
- 专利标题（英）： Low defect density, ideal oxygen precipitating silicon
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申请号： CN98805003.X申请日： 1998-04-09
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公开(公告)号： CN1255169A公开(公告)日： 2000-05-31
- 发明人: R·法尔斯特 , S·A·马克格拉夫 , S·A·麦克奎德 , J·C·霍尔泽 , P·穆提 , B·K·约翰逊
- 申请人： MEMC电子材料有限公司
- 申请人地址： 美国密苏里州
- 专利权人： MEMC电子材料有限公司
- 当前专利权人： MEMC电子材料有限公司
- 当前专利权人地址： 美国密苏里州
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 段承恩
- 优先权： 60/041,845 1997.04.09 US
- 国际申请： PCT/US1998/07304 1998.04.09
- 国际公布： WO1998/45508 EN 1998.10.15
- 进入国家日期： 1999-11-11
- 主分类号： C30B15/00
- IPC分类号： C30B15/00 ; C30B33/00 ; C30B29/06
摘要：
本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅,它含有第一轴对称区域,该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚,其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度,还涉及其制备方法。
公开/授权文献
- CN1280454C 缺陷密度低,空位占优势的硅 公开/授权日：2006-10-18