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公开(公告)号:CN1253610C
公开(公告)日:2006-04-26
申请号:CN98805271.7
申请日:1998-04-09
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要: 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括控制(i)生长速度V,(ii)在从结晶温度到不低于约1325℃的温度范围内晶体恒定直径段生长期间的平均轴向温度梯度G0;以及(iii)为形成该基本不含聚集本征点缺陷轴对称区而使晶体从结晶温度到约1050℃的冷却速度。这个轴对称区从晶棒圆周边向内扩延,从硅棒的圆周边径向朝中心轴测得的宽度至少约为晶棒半径长度的十分之三,沿中心轴测得的长度至少约为晶棒恒定直径段长度的十分之二。
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公开(公告)号:CN1936113A
公开(公告)日:2007-03-28
申请号:CN200610139269.3
申请日:1998-04-09
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要: 本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅,它含有第一轴对称区域,该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚,其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度,还涉及其制备方法。
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公开(公告)号:CN101070621B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200710089120.3
申请日:1998-04-09
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要: 一种单晶硅晶片,在基本上任何电子器件制造工艺的热处理周期中将形成理想的非均匀深度分布的氧沉淀。该晶片的特征在于,具有非均匀分布的晶格空位,本体层中空位的浓度大于表面层中空位的浓度,空位的浓度分布为空位的峰值密度处于或靠近中心平面,该浓度一般在晶片正面方向从峰值密度下降。在一个实施例中,晶片的特征还在于,具有第一轴对称区,其中空位为主要本征点缺陷,且基本上没有聚集的本征点缺陷,其中第一轴对称区包括中心轴或其宽度至少为约15mm。在另一实施例中,晶片的特征还在于,具有基本上没有聚集本征点缺陷的轴对称区,该轴对称区从晶片的周边径向向内延伸,从周边径向向中心轴测量其宽度至少为晶片半径长度的约40%。
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公开(公告)号:CN1255169A
公开(公告)日:2000-05-31
申请号:CN98805003.X
申请日:1998-04-09
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要: 本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅,它含有第一轴对称区域,该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚,其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度,还涉及其制备方法。
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公开(公告)号:CN100547122C
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200610139269.3
申请日:1998-04-09
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要: 本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅,它含有第一轴对称区域,该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚,其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度,还涉及其制备方法。
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公开(公告)号:CN1854353A
公开(公告)日:2006-11-01
申请号:CN200610058336.9
申请日:1998-04-09
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要: 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括控制(i)生长速度v,(ii)在从结晶温度到不低于约1325℃的温度范围内晶体恒定直径段生长期间的平均轴向温度梯度G0;以及(iii)为形成该基本不含聚集本征点缺陷轴对称区而使晶体从结晶温度到约1050℃的冷却速度。这个轴对称区从晶棒圆周边向内扩延,从硅棒的圆周边径向朝中心轴测得的宽度至少约为晶棒半径长度的十分之三,沿中心轴测得的长度至少约为晶棒恒定直径段长度的十分之二。
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公开(公告)号:CN1280454C
公开(公告)日:2006-10-18
申请号:CN98805003.X
申请日:1998-04-09
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要: 本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅,它含有第一轴对称区域,该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚,其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度,还涉及其制备方法。
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公开(公告)号:CN100595351C
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200610058336.9
申请日:1998-04-09
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要: 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括控制(i)生长速度v,(ii)在从结晶温度到不低于约1325℃的温度范围内晶体恒定直径段生长期间的平均轴向温度梯度G0;以及(iii)为形成该基本不含聚集本征点缺陷轴对称区而使晶体从结晶温度到约1050℃的冷却速度。这个轴对称区从晶棒圆周边向内扩延,从硅棒的圆周边径向朝中心轴测得的宽度至少约为晶棒半径长度的十分之三,沿中心轴测得的长度至少约为晶棒恒定直径段长度的十分之二。
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公开(公告)号:CN101070621A
公开(公告)日:2007-11-14
申请号:CN200710089120.3
申请日:1998-04-09
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要: 一种单晶硅晶片,在基本上任何电子器件制造工艺的热处理周期中将形成理想的非均匀深度分布的氧沉淀。该晶片的特征在于,具有非均匀分布的晶格空位,本体层中空位的浓度大于表面层中空位的浓度,空位的浓度分布为空位的峰值密度处于或靠近中心平面,该浓度一般在晶片正面方向从峰值密度下降。在一个实施例中,晶片的特征还在于,具有第一轴对称区,其中空位为主要本征点缺陷,且基本上没有聚集的本征点缺陷,其中第一轴对称区包括中心轴或其宽度至少为约15mm。在另一实施例中,晶片的特征还在于,具有基本上没有聚集本征点缺陷的轴对称区,该轴对称区从晶片的周边径向向内延伸,从周边径向向中心轴测量其宽度至少为晶片半径长度的约40%。
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公开(公告)号:CN1316072C
公开(公告)日:2007-05-16
申请号:CN98805223.7
申请日:1998-04-09
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: H01L21/3225 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , C30B33/00 , C30B33/02 , Y10T428/21 , Y10T428/249969
摘要: 一种单晶硅晶片,在基本上任何电子器件制造工艺的热处理周期中将形成理想的非均匀深度分布的氧沉淀。该晶片的特征在于,具有非均匀分布的晶格空位,本体层中空位的浓度大于表面层中空位的浓度,空位的浓度分布为空位的峰值密度处于或靠近中心平面,该浓度一般在晶片正面方向从峰值密度下降。在一个实施例中,晶片的特征还在于,具有第一轴对称区,其中空位为主要本征点缺陷,且基本上没有聚集的本征点缺陷,其中第一轴对称区包括中心轴或其宽度至少为约15mm。在另一实施例中,晶片的特征还在于,具有基本上没有聚集本征点缺陷的轴对称区,该轴对称区从晶片的周边径向向内延伸,从周边径向向中心轴测量其宽度至少为晶片半径长度的约40%。
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