半导体结构的制造方法

发明授权

CN1263104C 半导体结构的制造方法有权

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专利标题： 半导体结构的制造方法
专利标题（英）： Method for making semiconductor structure
申请号： CN03122496.2

申请日： 2003-04-28
公开(公告)号： CN1263104C

公开(公告)日： 2006-07-05
发明人: 彭宝庆 , 林义雄 , 雷明达 , 刘埃森 , 林佳惠 , 林正忠 , 万文恺 , 黄桂武
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 台湾省新竹
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 台湾省新竹
代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
代理商 潘培坤; 楼仙英
主分类号： H01L21/3105
IPC分类号： H01L21/3105 ; H01L21/283

半导体结构的制造方法

摘要：

本发明涉及一种半导体结构的制造方法，其是在衬底的第一表面上形成高介电常数(High Dielectric Constant；High k)薄膜后，且在任何高温热处理步骤前，先利用含卤素(Halogen)化学物对与衬底的第一表面相对的衬底第二表面进行背面清洗，以去除第二表面或第一表面边缘上的高介电常数材料污染；采用本发明的制造方法，不仅可防止交互污染，还可确保组件品质与制备可靠度。

公开/授权文献

CN1542923A 半导体结构的制造方法公开/授权日：2004-11-03

信息查询

中国专利公布公告 Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理