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公开(公告)号：CN1542923A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN03122496.2
申请日：2003-04-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/283
摘要： 本发明涉及一种半导体结构的制造方法，其是在基材的第一表面上形成高介电常数(High Dielectric Constant；High k)薄膜后，且在任何高温热处理步骤前，先利用含卤素(Halogen)化学物对与基材的第一表面相对的基材第二表面进行背面清洗，以去除第二表面或第一表面边缘上的高介电常数材料污染；采用本发明的制造方法，不仅可防止交互污染，还可确保组件品质与制备可靠度。
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公开(公告)号：CN1532928A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03108821.X
申请日：2003-03-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3205
摘要： 一种半导体结构及其制造方法，其在导体区完成后，利用例如选择性反应(Selective Reaction)、等离子体表面处理(Plasma Surface treatment)或离子植入(Ion Implanation)等方式来钝化(Passivate)导体区间的绝缘区表面，借以防止导体区的原子沿绝缘区表面扩散至绝缘区中。
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公开(公告)号：CN100437356C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410074260.X
申请日：2004-09-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/11
摘要： 一种浸润式光刻系统100与方法，其中浸润之媒介112与近接端110之透镜接合，此近接端110之透镜聚焦图案化光束于光敏材料116上，且保护膜300覆盖在光敏材料116上，而此保护膜300与浸润之媒介112接合。
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公开(公告)号：CN1627185A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410100630.2
申请日：2004-12-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G03F1/34
摘要： 本发明是关于一种无铬膜层相位移光罩，包括：一透光基底；至少一第一相位移图案，由至少一环状凹陷所构成；以及一第一次解析透光图案，是由上述环状凹陷所环绕的透光基底所构成，以与上述第一相位移图案构成曝光时所欲之转移图案，此外，本发明亦关于上述光罩的制造方法以及其制造半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN1610055A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200310101949.2
申请日：2003-10-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/30
摘要： 一种形成多种宽度或形状的间隙壁的方法包括下列步骤。首先，提供一个基材，其上具有多个分布不同区域的结构，且这些结构需要在侧面形成间隙壁。然后，在此基材上形成多层具有不同蚀刻比的介电层。接着，依据间隙壁的规格需求，进行至少一次的微影蚀刻作业。此微影蚀刻作业包括形成图案化光阻以曝露一部分区域，对此曝露区域进行选择性蚀刻，以及在蚀刻后移除光阻。藉由不同区域的介电层受到不同的选择性蚀刻，以在不同区域产生形状或层数不同的介电层物质，而利用这些介电层物质便可组成不同宽度的间隙壁。
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公开(公告)号：CN100343948C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200310101949.2
申请日：2003-10-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/30
摘要： 一种形成多种宽度间隙壁的方法，包括下列步骤：首先，提供一个基材，其上具有多个分布于不同区域的结构，且这些结构需要在侧面形成间隙壁。然后，在此基材上形成多层具有不同蚀刻比的介电层。接着，依据间隙壁的规格需求，进行至少一次的光刻蚀刻作业。此光刻蚀刻作业包括形成图案化光致抗蚀剂以曝露一部分区域，对此曝露区域进行选择性蚀刻，以及在蚀刻后移除光致抗蚀剂。通过不同区域的介电层受到不同的选择性蚀刻，以在不同区域产生形状或层数不同的介电层物质，而利用这些介电层物质便可组成不同宽度的间隙壁。
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公开(公告)号：CN1577357A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062386.5
申请日：2004-07-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G06F17/60
CPC分类号： G06Q10/10 , G06Q10/063114 , G06Q10/103
摘要： 一种计算机化管理项目方法，首先由项目管理人端接收项目资料代表属性，而项目(Project)中包含至少一个任务(task)。接着，接收该任务的资料代表属性。指派至少一个任务给至少一个任务负责人，并自动通知给任务负责人，通知中定义任务的指派信息。由任务负责人端接收至少一任务报告。另外，提供任务负责人与项目管理人对任务报告的读写存取权，并提供至少一第三人对任务报告的只读存取权。本发明更提供一种信息整合系统，包含：一数据库，用以接收多个专利资料、多个实体(entity)资料与多个证据资料，并建立专利资料、实体资料与证据资料间的关联并将其储存。
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公开(公告)号：CN1527365A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03105172.3
申请日：2003-03-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/28
摘要： 一种形成不同栅极间隙壁宽度的方法，首先，提供一基底，其上具有第一、第二、及第三栅极，在第一、第二、及第三栅极的侧壁各依序形成第一及第二间隙壁，其中第二间隙壁底部覆盖部分的第一间隙壁；接着，在第一栅极上方形成第一遮蔽层并等向性蚀刻未被遮蔽的第一间隙壁，使其同时下陷及底切至第一深度；去除第一遮蔽层后，在第一及第二栅极上方形成第二遮蔽层并等向性蚀刻未被遮蔽的第一间隙壁，使其同时下陷及底切至第二深度；最后，依序去除第二遮蔽层及第二间隙壁，以分别在这些栅极的侧壁形成不同宽度的间隙壁；本发明仅需在栅极表面形成两绝缘层，就可形成不同宽度的栅极间隙壁，因此非常适用于嵌入式内存、混合信号电路甚至是系统芯片(SOC)；另，本发明以等向性蚀刻配合局部蚀刻的方式形成不同宽度的间隙壁，可有效简化制程及降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102749811A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210222498.7
申请日：2005-06-03
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03B27/52 , G03F7/70333
摘要： 本发明公开一种以倾斜掩膜板或晶片进行多焦点扫描的方法，于光刻步进及扫描投影系统中实现于两或多个失焦位置之两或多个失焦晶片图像之分离重叠的方法。该方法包含使掩膜板及晶片中之一个相对于扫描方向倾斜，以及将光束分开于位于该掩膜板之不同失焦区中之至少两个发光区域。
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公开(公告)号：CN1325994C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410100630.2
申请日：2004-12-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G03F1/34
摘要： 本发明是关于一种无铬膜层相位移光罩，包括：一透光基底；至少一第一相位移图案，由至少一环状凹陷所构成；以及一第一次解析透光图案，是由上述环状凹陷所环绕的透光基底所构成，以与上述第一相位移图案构成曝光时所欲之转移图案，此外，本发明亦关于上述光罩的制造方法以及其制造半导体装置的方法。
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