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发明公开
CN1282100A 深反应离子刻蚀中可动部件的附加结构保护方法 无效 - 撤回

深反应离子刻蚀中可动部件的附加结构保护方法
摘要：
一种深反应离子刻蚀中可动部件的附加结构保护方法,其特点是:在设计版图时进行附加结构的特别设计,使同一硅片上刻蚀速度差别得以减少,同时保证可动结构在刻蚀过程中不被释放;当全部工艺完成后,利用无损办法将附加结构与可动结构分离;释放可动结构。具有大幅提高可动器件制作成品率的优点。
摘要（英）：

The method for protecting additional structure of movable component in the course of deep-reaction ion-etching process is characterized by that when the plate pattern is designed, the additional structure can be specially designed to reduce etching speed difference on same silicon chip, at the same time it ensures that the movable structure can not be released in the course of etching process, and when the all technological processes are completed, nondestructive measure is used to separate additional structure from movable structure, and the movable structure can be released. It can greatly raise rate of finished product of movable device.

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065 .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀
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