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公开(公告)号：CN1282100A
公开(公告)日：2001-01-31
申请号：CN00119596.4
申请日：2000-08-11
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 一种深反应离子刻蚀中可动部件的附加结构保护方法,其特点是:在设计版图时进行附加结构的特别设计,使同一硅片上刻蚀速度差别得以减少,同时保证可动结构在刻蚀过程中不被释放;当全部工艺完成后,利用无损办法将附加结构与可动结构分离;释放可动结构。具有大幅提高可动器件制作成品率的优点。
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公开(公告)号：CN1274692A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN00115581.4
申请日：2000-04-29
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 一种玻璃上的硅光波导材料及其制作方法,该材料是以玻璃为衬底,硅为波导层,玻璃或玻璃一氧化硅做限制层的光波导材料,其制作方法包括:硅片抛光面或具有氧化硅层的硅片的氧化硅面和玻璃片抛光面常规清洗后烘干,将玻璃片和硅片或硅片氧化硅面键合,对硅片减薄达到所需厚度。该材料及其制作工艺的优点是:玻璃衬底直接作限制层,限制效果好,制作中无高温工艺,键合结果直观,对后续工艺设备的要求简化。
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公开(公告)号：CN1142452C
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN01105879.X
申请日：2001-04-06
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 本发明涉及一种镜面全反射型弯曲波导器件结构及制作方法，特征在于以绝缘层上的硅为基材料，利用硅的各向异性腐蚀特性，通过氧化、光刻、腐蚀等微机械加工技术，制作出位置精确、镜面平整度高且与波导平面绝对垂直的全反射镜，并和用绝缘层硅材料制作出的单模脊形波导一起构成大角度、小尺寸、损耗低的弯曲波导。将此结构应用于无源光器件(如光耦合器、阵列波导光栅等等)中以实现结构紧凑、集成度高、性能好、工艺简单、可以批量生产的光通信器件。
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公开(公告)号：CN1091934C
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN97106753.8
申请日：1997-12-02
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 本发明涉及一种多层膜结构的高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法和材料。本方法采用超高真空电子束蒸发系统，系统配有二支电子枪，控制蒸发纯度均为99.9%的三种金属靶，从而制备成由软磁过渡层控制的三明治型高灵敏度巨磁电阻材料。本方法生长工艺简单，重复性好，各层金属膜结构简单，易于控制。使用的靶材料价格低廉，制备的多层膜巨磁电阻材料磁灵敏度高，巨磁电阻效应大，是一种不同于传统方法制备巨磁电阻材料的新方法。
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公开(公告)号：CN1153076C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN01113449.6
申请日：2001-06-15
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 本发明涉及一种在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法，属于平面型光耦合的领域。其特征在于以绝缘层上硅为原料，利用硅在各向异性腐蚀液中的性质，提出一套制作多模干涉耦合器的简便方法。输入输出波导满足单模条件，多模波导区为矩形波导，侧壁垂直且波导侧壁非常平整，多模区波导与输入输出波导的连接处是在腐蚀中自动形成的喇叭型过渡区。
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公开(公告)号：CN1102540C
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN00115581.4
申请日：2000-04-29
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 一种玻璃上的硅光波导材料及其制作方法，该材料是以玻璃为衬底，硅为波导层，玻璃或玻璃一氧化硅做限制层的光波导材料，其制作方法包括：硅片抛光面或具有氧化硅层的硅片的氧化硅面和玻璃片抛光面常规清洗后烘干，将玻璃片和硅片或硅片氧化硅面键合，对硅片减薄达到所需厚度。该材料及其制作工艺的优点是：玻璃衬底直接作限制层，限制效果好，制作中无高温工艺，键合结果直观，对后续工艺设备的要求简化。
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公开(公告)号：CN1318762A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN01113449.6
申请日：2001-06-15
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 本发明涉及一种在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法,属于平面型光耦合的领域。其特征在于以绝缘层上硅为原料,利用硅在各向异性腐蚀液中的性质,提出一套制作多模干涉耦合器的简便方法。输入输出波导满足单模条件,多模波导区为矩形波导,侧壁绝对垂直且波导侧壁非常平整,多模区波导与输入输出波导的连接处是在腐蚀中自动形成的喇叭型过渡区。
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公开(公告)号：CN1312479A
公开(公告)日：2001-09-12
申请号：CN01105879.X
申请日：2001-04-06
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明涉及一种镜面全反射型弯曲波导器件结构及制作方法,特征在于以绝缘层上的硅为基材料,利用硅的各向异性腐蚀特性,通过氧化、光刻、腐蚀等微机械加工技术,制作出位置精确、镜面平整度高且与波导平面绝对垂直的全反射镜,并和用绝缘层硅材料制作出的单模脊形波导一起构成大角度、小尺寸、损耗低的弯曲波导。将此结构应用于无源光器件(如光耦合器、阵列波导光栅等等)中以实现结构紧凑、集成度高、性能好、工艺简单、可以批量生产的光通信器件。
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公开(公告)号：CN1218966A
公开(公告)日：1999-06-09
申请号：CN97106753.8
申请日：1997-12-02
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 本发明涉及一种多层膜结构的高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法和材料。本方法采用超高真空电子束蒸发系统,系统配有二支电子枪,控制蒸发纯度均为99.9%的三种金属靶,从而制备成由软磁过渡层控制的三明治型高灵敏度巨磁电阻材料。本方法生长工艺简单,重复性好,各层金属膜结构简单,易于控制。使用的靶材料价格低廉,制备的多层膜巨磁电阻材料磁灵敏度高,巨磁电阻效应大,是一种不同于传统方法制备巨磁电阻材料的新方法。
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