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公开(公告)号：CN1184702C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN98122068.1
申请日：1998-12-04
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 本发明涉及一种的氧化物巨磁电阻薄膜的制备方法。其特征在于采用摩尔浓度为0.1摩尔/升至0.5摩尔/升的金属有机物溶液、按摩尔体积比例配制成均匀的目标溶液后，用旋转甩胶制备湿膜。再经100-650℃前烘和700-1000℃烧结后，制备成钙钛矿结构的氧化物巨磁电阻薄膜。所制成的巨磁电阻薄膜的结构为AxB1-xCOy，其中0＜x＜1，1＜y≤10。本方法具有工艺简单，重复性好，大面积均匀，成本低，衬底价格低廉和设备要求不高等特点。该巨磁电阻薄膜具有输出信号大，室温下电阻率随外磁场呈线性变化等特性，适合于制备磁敏器件和自旋极化三极管等。
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公开(公告)号：CN1120529C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN00116388.4
申请日：2000-06-07
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L35/00
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种微机械热电堆红外探测器的制造方法，最为关键的工艺是采用正面光刻技术，制造出周围用空气层减小热耗散的悬臂结构，且应用绝缘体上单晶硅材料，不仅简化了微机械热电堆红外探测器的制造工艺，提高了热电转换效率，而且也使制造出来的探测器具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1088541C
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN98122067.3
申请日：1998-12-04
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AIN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOI材料制备方法，系利用离子束合成或AI膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AIN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和智能剥离工艺相结合，制备以AIN为绝缘埋层的SOI结构，这种SOI材料的导热性能优于常规的以SiO2为绝缘埋层的SOI，更加适应高温、大功率SOI电路的需要。
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公开(公告)号：CN1345074A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01132080.X
申请日：2001-10-31
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
CPC分类号： Y02E60/13
摘要： 本发明涉及一种高容量电化学超电容器的制造方法,属于电化学电容器领域。其特点是以钌的氧化物或氢氧化物和高比表面积的活性碳复合的材料作为电化学电容器的正、负电极或者以该复合的材料作正极、负极则是以多孔高比表面积碳材料组成,两种电极组成形式均以碱溶液或酸溶液作为电解质,正、负电极间以绝缘性聚合物为隔膜组装成不同形状和用途的电化学电容器,本发明提供的制造方法简单,价格较以钌的氧化物为电化学电容器便宜而电容量远远大于单纯活性碳材料组成的电化学电容器。
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公开(公告)号：CN1282100A
公开(公告)日：2001-01-31
申请号：CN00119596.4
申请日：2000-08-11
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 一种深反应离子刻蚀中可动部件的附加结构保护方法,其特点是:在设计版图时进行附加结构的特别设计,使同一硅片上刻蚀速度差别得以减少,同时保证可动结构在刻蚀过程中不被释放;当全部工艺完成后,利用无损办法将附加结构与可动结构分离;释放可动结构。具有大幅提高可动器件制作成品率的优点。
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公开(公告)号：CN1281262A
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN00116388.4
申请日：2000-06-07
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种微机械热电堆红外探测器的制造方法,最为关键的工艺是采用正面光刻技术,制造出周围用空气层减小热耗散的悬臂结构,且应用绝缘体上单晶硅材料,不仅简化了微机械热电堆红外探测器的制造工艺,提高了热电转换效率,而且也使制造出来的探测器具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1278654A
公开(公告)日：2001-01-03
申请号：CN00115500.8
申请日：2000-04-27
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 本发明涉及采用多孔硅分离技术将硅衬底上制作的器件转移到特定衬底上实现器件的转移。属于微电子领域。本发明特征是利用阳极氧化的方法在单晶硅片上制作具有分层结构的多孔硅,在多孔硅的外延层上制作器件,采用倒装贴片技术将电路与特定基体孙键合,利用特殊方法在多孔层区域将衬底硅与已制作器件的上层硅分离。这种技术制作的电路具有散热好、功耗低,在大功率器件以及移动通信系统所使用的射频电路方面将会有重要应用,并利于与MCM(多芯片模块)技术相结合。
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公开(公告)号：CN1274692A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN00115581.4
申请日：2000-04-29
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 一种玻璃上的硅光波导材料及其制作方法,该材料是以玻璃为衬底,硅为波导层,玻璃或玻璃一氧化硅做限制层的光波导材料,其制作方法包括:硅片抛光面或具有氧化硅层的硅片的氧化硅面和玻璃片抛光面常规清洗后烘干,将玻璃片和硅片或硅片氧化硅面键合,对硅片减薄达到所需厚度。该材料及其制作工艺的优点是:玻璃衬底直接作限制层,限制效果好,制作中无高温工艺,键合结果直观,对后续工艺设备的要求简化。
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公开(公告)号：CN1255734A
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN99124237.8
申请日：1999-12-10
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 一种高温压力传感器芯片的制作方法,最为关键的工艺是将带有单晶碳化硅外延层的硅片与外层被氧化的硅片用浓硫酸清洗,去离子水冲洗,然后将其中硅片的碳化硅面与另一硅片的氧化硅面进行键合,再将其放入氢氧化钾溶液中腐蚀,去除碳化硅外延层的衬底硅层,这样,不仅简化了高温压力传感器芯片的制作工艺,而且保证了这样制造出来的芯片的单晶碳化硅高温半导体特性的充分发挥。
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