发明授权
CN1295756C 在阻挡膜上形成钨膜的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 在阻挡膜上形成钨膜的方法
- 专利标题（英）： Method of forming tungsten film on barrier film
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申请号： CN01803734.8申请日： 2001-11-13
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公开(公告)号： CN1295756C公开(公告)日： 2007-01-17
- 发明人: 山崎英亮 , 立花光博 , 大久保和哉 , 铃木健二 , 河野有美子
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 351716/00 2000.11.17 JP
- 国际申请： PCT/JP2001/009924 2001.11.13
- 国际公布： WO2002/041379 EN 2002.05.23
- 进入国家日期： 2002-07-15
- 主分类号： H01L21/285
- IPC分类号： H01L21/285
摘要：
一种金属膜形成方法，包括：步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和(b)(s14，s16)在输送步骤(a)的原料气体之后，分别对步骤(a)的原料气体进行抽真空-排放或用其它种类气体替换步骤(a)的原料气体，由此在基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。
公开/授权文献
- CN1395743A 形成金属布线的方法和用于形成金属布线的半导体制造设备 公开/授权日：2003-02-05
IPC分类:
