公开(公告)号：CN114746985A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080084270.9

申请日：2020-10-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 户田聪 ,  新藤尚树 ,  立花光博 ,  林春菜 ,  杨元

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23F1/12

摘要： 蚀刻方法具有如下工序：将至少具有钼膜或钨膜以及含硅物且钼膜或钨膜露出的状态的基板设置于腔室内；向腔室内供给氧化气体和作为蚀刻气体的六氟化物气体来相对于含硅物选择性地蚀刻钼膜或钨膜。

公开(公告)号：CN104805416A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510047084.9

申请日：2015-01-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小野裕司 ,  立花光博 ,  本间学

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45551

摘要： 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；旋转台，其配置于该真空容器内，该旋转台用于将基板载置于在旋转台的一面侧设置的载置区域并使基板公转；处理气体供给部，其用于向基板供给热分解温度在1个大气压下为520℃以上的处理气体；以及加热部，其用于加热所述旋转台，以便将所述基板加热至600℃以上而进行成膜处理。所述处理气体供给部包括：气体喷头，其具有以与所述基板的通过区域相对的方式设置的、多个处理气体的喷射孔；以及冷却机构，其用于在所述成膜处理时将所述气体喷头的与所述通过区域相对的相对部冷却至比所述处理气体的热分解温度低的温度。

公开(公告)号：CN1860588A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200480028499.1

申请日：2004-09-07

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  美国商业机器公司

发明人： 松田司 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  山崎英亮 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC分类号： H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

摘要： 本发明提供了一种利用连续流沉积工艺来沉积具有良好表面形貌的金属层的方法，该方法包括使处理室中的衬底交替暴露于金属－羰基前驱气和还原气中。在暴露于金属－羰基前驱气过程中，通过热分解在衬底上沉积薄金属层，随后使该金属层暴露于还原气中以利于从该金属层中除去反应副产物。可以重复金属－羰基前驱气和还原气暴露步骤直到形成期望厚度的金属层。金属羰基前驱体例如可以选自W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6和Ru3(CO)12。

公开(公告)号：CN111489993A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010342111.6

申请日：2017-01-05

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 羽田敬子 ,  清水昭贵 ,  长仓幸一 ,  立花光博

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理装置。其中，该基板处理装置包括：处理室，其被维持为大气压气氛；载物台，其被配置于所述处理室内，并载置被实施了使用含有氟的气体的处理的基板；温度调节部，其将所述载物台上载置的基板的温度维持在10℃～80℃；以及供给机构，其向所述处理室内供给水蒸气，以使所述载物台上载置的基板暴露于含有550g/m3以上的水分量的水分含有气氛中。

公开(公告)号：CN104862668B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201510087374.6

申请日：2015-02-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 立花光博 ,  高畠裕二 ,  本间学

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/4584 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586

摘要： 一种基板处理装置，其一边在真空容器内使载置在旋转台上的圆形的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，该基板处理装置包括：凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧；加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；以及3个支承销，其在上述凹部的底面上分别位于正三角形的顶点，并分别对与基板的中心分开了该基板的半径的2/3的部位进行支承，该支承销是为了以使上述基板自该凹部的底面浮起的状态支承上述基板而设置的。

公开(公告)号：CN103866297B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201310686986.8

申请日：2013-12-13

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  山泽阳平 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC分类号： C23C16/513

CPC分类号： H01J37/321 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。

公开(公告)号：CN103966575A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043876.4

申请日：2014-01-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC分类号： C23C16/45519 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733

摘要： 本发明提供一种基板处理装置及成膜方法。在旋转台（2）下方侧的与改性区域（S1）相对的位置配置偏压电极（120），并在改性区域（S1）的上方侧配置法拉第屏蔽件（95），使上述偏压电极（120）与法拉第屏蔽件（95）电容耦合而在上述改性区域（S1）内形成偏移电场。并且，偏压电极（120），在旋转台（2）的旋转方向上的宽度尺寸（t）形成得比相邻的晶圆（W）之间的分开尺寸（d）小，从而能够防止对相邻的晶圆（W）同时施加偏移电场，并能够针对各晶圆（W）单独地形成偏移电场。

公开(公告)号：CN1295756C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN01803734.8

申请日：2001-11-13

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC分类号： H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： 一种金属膜形成方法，包括：步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和(b)(s14，s16)在输送步骤(a)的原料气体之后，分别对步骤(a)的原料气体进行抽真空-排放或用其它种类气体替换步骤(a)的原料气体，由此在基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。

公开(公告)号：CN107026080B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201710007284.0

申请日：2017-01-05

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 羽田敬子 ,  清水昭贵 ,  长仓幸一 ,  立花光博

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。在工艺模块(13)中被实施了COR处理和PHT处理的晶圆(W)在冷藏部(20)的处理室(28)的内部暴露于湿度被调整成所含有的水分量是50g/m3以上的气氛。

公开(公告)号：CN103882408A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310712445.8

申请日：2013-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 立花光博 ,  池川宽晃 ,  和村有 ,  尾谷宗之 ,  小川淳 ,  高桥宏辅

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。