半导体器件及其形成方法

Invention Publication

CN1531109A 半导体器件及其形成方法失效 - 权利终止

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Patent Title: 半导体器件及其形成方法
Patent Title (English): Semiconductor device and forming method thereof
Application No.: CN200410007497.6

Application Date: 2004-03-05
Publication No.: CN1531109A

Publication Date: 2004-09-22
Inventor: 柳圭浩 , 郑舜文 , 金成奉 , 林勋 , 赵源锡
Applicant: 三星电子株式会社
Applicant Address: 韩国京畿道
Assignee: 三星电子株式会社
Current Assignee: 三星电子株式会社
Current Assignee Address: 韩国京畿道
Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
Agent 谢丽娜; 谷惠娜
Priority: 14387/2003 2003.03.07 KR
Main IPC: H01L29/78
IPC: H01L29/78 ; H01L27/04 ; H01L21/336 ; H01L21/8234

Abstract:

提供包括半导体衬底和栅极线的半导体器件。栅极线在半导体衬底上并且包括以指定顺序层叠在半导体衬底上的栅绝缘图形和栅电极。在栅极线的侧壁上形成的隔片；在栅极线上形成导电线条图形。导电线条图形平行于栅极线和电连接到栅电极。

Public/Granted literature

CN100541816C 半导体器件及其形成方法 Public/Granted day:2009-09-16

Information query

Chinese Patent Announcement Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的