-
公开(公告)号：CN114188350A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110881963.7
申请日：2021-08-02
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L27/1157
摘要： 本申请提供了一种半导体器件和包括半导体器件的电子系统。所述半导体器件，包括：衬底上的栅电极结构；沟道，延伸穿过栅电极结构；以及蚀刻停止层，在栅电极结构的侧壁上。栅电极结构包括在第一方向上彼此间隔开并且以阶梯形状堆叠的栅电极。沟道包括第一部分和与第一部分接触的第二部分。第二部分的下表面的宽度小于第一部分的上表面的宽度。蚀刻停止层接触栅电极中的至少一个栅电极，并且在水平方向上与沟道的第一部分的上部重叠。接触蚀刻停止层的至少一个栅电极是包括绝缘材料的虚设栅电极。
-
-
公开(公告)号：CN112071853A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010180450.9
申请日：2020-03-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11568 , H01L27/11582
摘要： 提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括多条字线、堆叠在多条字线上的串选择线结构以及在竖直方向上延伸穿过多条字线和串选择线结构的多个沟道结构。串选择线结构包括串选择弯折线，串选择弯折线包括在比多条字线的水平高的第一水平处沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一水平高的第二水平处沿水平方向延伸的上水平延伸部以及连接在下水平延伸部与上水平延伸部之间的竖直延伸部。
-
公开(公告)号：CN105185784B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510684447.X
申请日：2010-12-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11578
CPC分类号： H01L23/3157 , H01L21/76816 , H01L23/291 , H01L23/528 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。
-
公开(公告)号：CN102468282A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110365334.5
申请日：2011-11-17
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/00 , H01L27/115 , H01L23/528 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/823475 , H01L27/11519 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/7926
摘要： 本发明提供了三维半导体器件及其制造方法。该三维(3D)半导体器件包括：垂直沟道，从衬底附近的下端延伸到上端且连接多个存储单元；以及单元阵列，包括多个单元，其中所述单元阵列布置在设置于衬底上的具有阶梯台阶结构的层的栅堆叠中。栅堆叠包括：下层，包括下选择线，该下选择线耦接到下端附近的下非存储晶体管；上层，包括导电线，该导电线分别耦接到上端附近的上非存储晶体管且连接为单个导电件以形成上选择线；以及中间层，分别包括字线且耦接到单元晶体管，其中中间层设置在下选择线和上选择线之间。
-
公开(公告)号：CN114765185A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111477154.6
申请日：2021-12-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/768
摘要： 一种半导体存储器器件，包括：第一衬底，包括第一区域和第二区域；堆叠结构，仅在第一衬底的第一区域和第二区域中的第一衬底的第一区域上，堆叠结构包括字线；层间绝缘膜，覆盖堆叠结构；虚设导电结构，在层间绝缘膜内部，虚设导电结构延伸穿过堆叠结构以与第一衬底接触；以及板接触插塞，在层间绝缘膜内部，板接触插塞与第一衬底的第二区域连接，并且虚设导电结构的上表面相对于第一衬底的上表面的高度大于板接触插塞的上表面相对于第一衬底的上表面的高度。
-
公开(公告)号：CN113823632A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110381661.3
申请日：2021-04-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/11519
摘要： 一种三维半导体存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括垂直地堆叠在衬底上的电极，电极分别包括在连接区域上的垫部分，并且电极的垫部分以阶梯结构堆叠；第一垂直结构，穿透单元阵列区域上的电极结构；以及第二垂直结构，穿透连接区域上的电极结构，每个第二垂直结构包括在第一方向上彼此间隔开的第一部分以及将第一部分彼此连接的至少一个第二部分，所述至少一个第二部分分别穿透垫部分的侧壁。
-
公开(公告)号：CN102468282B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201110365334.5
申请日：2011-11-17
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/00 , H01L27/115 , H01L23/528 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/823475 , H01L27/11519 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/7926
摘要： 本发明提供了三维半导体器件及其制造方法。该三维(3D)半导体器件包括：垂直沟道，从衬底附近的下端延伸到上端且连接多个存储单元；以及单元阵列，包括多个单元，其中所述单元阵列布置在设置于衬底上的具有阶梯台阶结构的层的栅堆叠中。栅堆叠包括：下层，包括下选择线，该下选择线耦接到下端附近的下非存储晶体管；上层，包括导电线，该导电线分别耦接到上端附近的上非存储晶体管且连接为单个导电件以形成上选择线；以及中间层，分别包括字线且耦接到单元晶体管，其中中间层设置在下选择线和上选择线之间。
-
公开(公告)号：CN102104034A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010596401.X
申请日：2010-12-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/00 , H01L27/115 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/8239 , G11C7/12 , G11C7/18
CPC分类号： H01L23/3157 , H01L21/76816 , H01L23/291 , H01L23/528 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。
-
公开(公告)号：CN102005456A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010264991.6
申请日：2010-08-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L23/00 , H01L23/485
CPC分类号： H01L27/11575 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体存储器件，包括：实质上平面状的衬底；相对于衬底垂直的存储串，该存储串包括多个存储单元；以及多条伸长的字线，每条字线包括实质上平行于衬底且连接至存储串的第一部分、以及相对于衬底实质上倾斜并且在衬底上延伸的第二部分；其中，多条字线中的第一组与放置在存储串的第一侧的第一导线电连接，多条字线中的第二组与放置在存储串的第二侧的第二导线电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
34 条记录 (耗时 0.038 秒)
