发明公开
CN1560927A 光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件
- 专利标题（英）： Photoconductive thin film, and photovoltaic device making use of the same
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申请号： CN200410061799.1申请日： 1999-02-15
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公开(公告)号： CN1560927A公开(公告)日： 2005-01-05
- 发明人: 狩谷俊光
- 申请人： 佳能株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权： 033454/1998 1998.02.17 JP
- 分案原申请号： 991029410
- 主分类号： H01L31/02
- IPC分类号： H01L31/02 ; H01L31/0236 ; H01L31/04 ; H01L31/075
摘要：
一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜，用恒定光电流方法测量时，光电导薄膜的Urbach能Eu为60meV或以下。该薄膜作为光电导薄膜，没有光退化，有很好的光电导率，提供的光生伏打器件有很好的温度特性和长期稳定性。
公开/授权文献
- CN100364115C 光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件 公开/授权日：2008-01-23