非易失性半导体存储装置及其写入方法和删除方法
摘要:
构成存储器阵列(1)的各可变电阻元件(22),同一行的一端之间连接共通的字线(20),同一列的另一端之间连接共通的位线(21)。选择第1字线电压施加到选择字线,选择第2字线电压施加到非选择字线,选择第1位线电压施加到选择位线,选择第2位线电压施加到非选择位线。设定第1字线电压与第1位线电压的电压差在使可变电阻元件的电阻值变化的第1电压差以上,第1字线电压与第2位线电压的电压差、第2字线电压与第1位线电压的电压差、第2字线电压与第2位线电压的电压差的每一个在不使可变电阻元件的电阻值变化的第2电压差以下。
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