发明公开
- 专利标题: 非易失性半导体存储装置及其写入方法和删除方法
- 专利标题(英): Nonvolatile semiconductor memory device, and programming method and erasing method thereof
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申请号: CN200410049572.5申请日: 2004-06-17
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公开(公告)号: CN1574077A公开(公告)日: 2005-02-02
- 发明人: 玉井幸夫 , 井上刚至 , 森田晃明
- 申请人: 夏普株式会社
- 申请人地址: 日本大阪市
- 专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人: 异基因开发有限责任公司
- 当前专利权人地址: 日本大阪市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 徐谦; 王忠忠
- 优先权: 171489/2003 2003.06.17 JP; 327026/2003 2003.09.19 JP
- 主分类号: G11C11/34
- IPC分类号: G11C11/34 ; G11C11/4074
摘要:
构成存储器阵列(1)的各可变电阻元件(22),同一行的一端之间连接共通的字线(20),同一列的另一端之间连接共通的位线(21)。选择第1字线电压施加到选择字线,选择第2字线电压施加到非选择字线,选择第1位线电压施加到选择位线,选择第2位线电压施加到非选择位线。设定第1字线电压与第1位线电压的电压差在使可变电阻元件的电阻值变化的第1电压差以上,第1字线电压与第2位线电压的电压差、第2字线电压与第1位线电压的电压差、第2字线电压与第2位线电压的电压差的每一个在不使可变电阻元件的电阻值变化的第2电压差以下。
公开/授权文献
- CN100565702C 非易失性半导体存储装置及其写入方法和擦除方法 公开/授权日:2009-12-02