本发明提供在具有不同晶体取向的SOI衬底上形成的集成半导体器件，从而为特殊器件提供最佳性能。特别是，提供一种包括至少一个SOI衬底的集成半导体结构，SOI衬底具有第一晶体取向的顶部半导体层以及具有第二晶体取向的半导体材料，其中半导体材料与顶部半导体层基本共面并且与其厚度基本相同，并且第一晶体取向与第二晶体取向不同。SOI衬底是通过在一个结构中形成孔而形成的，该结构包括具有不同晶体取向的至少一个第一半导体层和第二半导体层。半导体材料是在孔中外延生长的，接着使用不同刻蚀和深刻蚀加工步骤形成SOI衬底。