公开(公告)号：CN101416316B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200680014216.7

申请日：2006-04-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 约耳·P.·德索扎 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  凯瑟琳·L.·萨恩格 ,  宋均镛 ,  杨敏 ,  尹海洲

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明涉及混合晶向沟道场效应晶体管，在结合界面(360)上方的源/漏区具有的晶向，而结合界面(360)下方的源/漏区具有下部半导体(370)的晶向，使得源/漏区的每个部分的晶向与横向相邻的半导体材料的晶向相同。可选的源/漏延伸区(392)被整个地设置在上部半导体(350)中。可选地，结合界面(360)位于接近源/漏区(380)的底部，使得源/漏区(380)大部分处于上部半导体层(350)中。

公开(公告)号：CN101621481A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200810127448.4

申请日：2008-06-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 杨敏 ,  迟长燕 ,  肖文鹏 ,  高毓航

IPC分类号： H04L12/58 ,  G06F17/30

CPC分类号： H04L51/04 ,  H04L12/1831

摘要： 本发明公开了一种在即时通信系统中保持聊天记录和聊天内容的对应关系的方法，所述方法包括步骤：在所述即时通信系统中建立聊天会话；根据聊天内容的地址的变化，同步地显示对应的聊天内容；将变化后的聊天内容的地址插入到聊天记录中，并且将聊天记录分段为多个片段；以及存储分段后的聊天记录以及聊天内容的地址与对应聊天记录片段之间的关系。根据本发明，在随后对某一内容再次进行聊天时，通过输入所述内容的地址，检索聊天内容的地址与对应聊天记录片段之间的关系，从而方便地得到所需要的聊天记录片段。

公开(公告)号：CN100424823C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610002745.7

申请日：2006-01-25

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 朱慧珑 ,  B·B·多里斯 ,  P·J·欧尔迪吉斯 ,  M·莱昂 ,  杨敏 ,  陈华杰

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1207 ,  Y10S438/938

摘要： 本发明提供了一种形成半导体衬底的方法，包括以下步骤：提供初始结构，具有包括第一取向材料的第一器件区域和包括第二取向材料的第二器件区域；在第一取向材料顶部形成第一浓度的晶格调整材料；在第二取向材料顶部形成第二浓度的晶格调整材料；混合第一浓度的晶格调整材料与第一取向材料以形成第一晶格尺寸表面，并混合第二浓度的晶格调整材料与第二取向材料以形成第二晶格尺寸表面；以及在第一晶格尺寸表面顶部形成第一应变半导体层，并在第二晶格尺寸表面顶部形成第二应变半导体层。

公开(公告)号：CN101160664A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200580015396.6

申请日：2005-06-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： K·K·陈 ,  K·W·瓜里尼 ,  M·耶奥 ,  K·里姆 ,  杨敏

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054

摘要： 本发明公开了一种用于传导载流子的结构及其形成方法，结合具有〈110〉的上表面的Si或SiGe单晶衬底和SiGe伪晶或外延层，其具有不同于衬底的Ge浓度从而伪晶层处于应变。公开了一种形成半导体外延层的方法，结合在快速热化学气相沉积(RTCVD)工具中通过将工具中的温度升高到约600℃并且引入含Si气体和含Ge气体形成伪晶或外延层的步骤。公开了一种用于外延沉积化学处理衬底的方法，包括如下步骤：将衬底浸入一系列分别含有臭氧，稀HF，去离子水，HCl酸和去离子水的浴中，随后在惰性气氛中干燥衬底以获得无杂质并且具有小于0.1nm的RMS粗糙度的衬底表面。

公开(公告)号：CN100378917C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510065300.9

申请日：2005-04-19

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 陈国仕 ,  布鲁斯·B.·多丽丝 ,  凯思琳·W.·瓜里尼 ,  杨美基 ,  舍里施·纳拉丝穆哈 ,  亚历山大·拉兹尼赛克 ,  克恩·拉姆 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  师利仁 ,  杰弗里·W.·斯莱特 ,  杨敏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78687

摘要： 提供了制作应变含硅混合衬底的方法以及用此方法制作的应变含硅混合衬底。在本发明的方法中，应变硅层被形成来覆盖再生长的半导体材料、第二半导体层、或二者。根据本发明，应变硅层的晶向与再生长的半导体层或第二半导体层的晶向相同。此方法提供了一种混合衬底，其中至少一个器件层包括应变硅。

公开(公告)号：CN101002327A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200480039512.3

申请日：2004-12-15

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 陈永聪 ,  玛斯莫·V.·菲斯切特 ,  约翰·M.·赫根罗瑟 ,  杨美基 ,  拉杰施·仁加拉简 ,  亚历山大·里兹尼克 ,  保罗·所罗门 ,  宋均镛 ,  杨敏

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/762 ,  H01L29/04

摘要： 本发明提供了一种具有增强的电子和空穴迁移率的半导体材料，该材料包括在双轴压缩应变下的具有 晶体取向的含硅层。术语"双轴压缩应变"在此处用来描述由纵向压缩应力和横向应力产生的净应力，此横向应力在半导体材料制造过程中引入含硅层上。本发明的其它方面涉及形成本发明的半导体材料的方法。本发明的方法包括提供含硅 层；和在所述含硅 层中产生双轴应变。

公开(公告)号：CN1206742C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02803225.X

申请日：2002-02-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 杨敏 ,  克恩·利姆

IPC分类号： H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L27/144 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L27/1446 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种在半导体基底(102)上成型光检测器器件的方法。该方法包括：在基底(102)上成型第一组沟槽和第二组沟槽，其中第一组的各沟槽对于第二组的各沟槽交错排列；对各沟槽填充保护材料(202)；以及蚀刻第一组沟槽内的保护材料(202)。该方法进一步包括：对第一组沟槽填充第一电导率的掺杂材料(502)；蚀刻第二组沟槽内的保护材料(202)；对第二组沟槽填充第二电导率的掺杂材料(802)；通过将掺杂材料(502)中的掺杂物掺杂到第一组沟槽中的每一个，形成第一结层(904)，而通过将掺杂材料(802)中的掺杂物掺杂到第二组沟槽中的每一个，形成第二结层(906)；以及对第一组沟槽和第二组沟槽设置单独导线连接(1002、1004)。同时形成第一组沟槽和第二组沟槽。

公开(公告)号：CN1591826A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057840.8

申请日：2004-08-19

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 杨美基 ,  杨敏

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76278 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684

摘要： 本发明提供在具有不同晶体取向的SOI衬底上形成的集成半导体器件，从而为特殊器件提供最佳性能。特别是，提供一种包括至少一个SOI衬底的集成半导体结构，SOI衬底具有第一晶体取向的顶部半导体层以及具有第二晶体取向的半导体材料，其中半导体材料与顶部半导体层基本共面并且与其厚度基本相同，并且第一晶体取向与第二晶体取向不同。SOI衬底是通过在一个结构中形成孔而形成的，该结构包括具有不同晶体取向的至少一个第一半导体层和第二半导体层。半导体材料是在孔中外延生长的，接着使用不同刻蚀和深刻蚀加工步骤形成SOI衬底。

公开(公告)号：CN1510756A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310121549.8

申请日：2003-12-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： K·K·钱 ,  G·M·科昂 ,  M·莱昂 ,  R·A·罗伊 ,  P·M·所罗门 ,  杨敏

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/26533 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/78648

摘要： 一种双栅极场效应晶体管(DGFET)结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。本发明引入了两个新措施，以减小源/漏区下的寄生电容。首先，将栅极外的硅区转变成氧化物，用具有第一横向厚度的第一间隔层保护了与栅极相邻的硅凸缘。使用自对准的氧注入或其它粒种注入促进氧化。其次，除去第一间隔层，用横向厚度小于第一间隔层的横向厚度的第二间隔层代替，通过使用横向选择性外延过生长并使用现在露出的硅凸缘作为籽晶在自对准的隔离区上生长新的硅源/漏区。这样可以获得到背平面的低电容，同时可以保持控制阈值电压。

公开(公告)号：CN101789870B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200910008465.0

申请日：2009-01-23

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 王涛 ,  付荣耀 ,  杨敏 ,  郑文涛

IPC分类号： H04L12/18 ,  H04M3/56

摘要： 本发明提供了一种在网络会议中通知听众终端的屏幕接收状态的方法和装置，其中所述方法包括：发送发言者终端的共享屏幕数据；确定所发送的共享屏幕数据所属的屏幕分块，并且将其同步状态记录为尚未同步；计算所确定的屏幕分块的各自特征值；接收屏幕分块标识及其对应的屏幕分块特征值；针对所接收的每个屏幕分块标识，将对于与该屏幕分块标识对应的屏幕分块算出的特征值与所接收的与该屏幕分块标识对应的屏幕分块特征值进行比较，并且在两者相等时，将与该屏幕分块标识对应的屏幕分块的同步状态更新为已经同步；以及显示听众终端的屏幕接收状态。根据本发明的技术方案，可以让发言者在网络会议期间了解各个听众终端的屏幕接收状态。