发明公开
- 专利标题： 具有氮/碳稳定的氧沉淀物成核中心的理想氧沉淀硅片及其制造方法
- 专利标题（英）： Ideal oxygen precipitating silicon wafers with nitrogen/carbon stabilized oxygen precipitate nucleation centers and process for making the same
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申请号： CN02825681.6申请日： 2002-12-23
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公开(公告)号： CN1606799A公开(公告)日： 2005-04-13
- 发明人: M·S·卢西亚诺 , J·L·利伯特 , R·J·菲利普斯 , M·库尔卡尼 , M·巴南 , S·J·布伦克霍斯特
- 申请人： MEMC电子材料有限公司
- 申请人地址： 美国密苏里州
- 专利权人： MEMC电子材料有限公司
- 当前专利权人： MEMC电子材料有限公司
- 当前专利权人地址： 美国密苏里州
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 马江立; 吴鹏
- 优先权： 60/345,178 2001.12.21 US
- 国际申请： PCT/US2002/041269 2002.12.23
- 国际公布： WO2003/060982 EN 2003.07.24
- 进入国家日期： 2004-06-21
- 主分类号： H01L21/322
- IPC分类号： H01L21/322 ; H01L29/36 ; H01L29/167
摘要：
一种硅片，它具有一种受控制的氧沉淀性能，以便最后形成一个洁净区和晶片主体中的氧沉淀物，上述洁净区从前表面向内延伸，而上述氧沉淀物足够用于本征吸除的目的。具体地说，在形成氧沉淀物之前，晶片主体包括掺杂剂稳定的氧沉淀物成核中心。掺杂剂选自氮和碳，并且掺杂剂的浓度足够使氧沉淀物成核中心能承受热处理如一种外延淀积法，而同时保持溶解任何生长中成核中心的能力。
公开/授权文献
- CN100345263C 具有氮/碳稳定的氧沉淀物成核中心的硅片及其制造方法 公开/授权日：2007-10-24
IPC分类:
