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公开(公告)号：CN1327041C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200380108618.X
申请日：2003-11-10
申请人： MEMC电子材料有限公司
发明人： M·库尔卡尼
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10T117/1032 , Y10T117/1064 , Y10T117/1068
摘要： 本发明公开了一种用于生长单晶锭的拉晶机，包括一紧邻坩埚的用于加热该坩埚的侧面加热器，和一熔体热交换器，该熔体热交换器的尺寸和形状制成用于围绕该晶锭并邻近该熔体的表面设置。该热交换器包括一热源，该热源具有一用于向该熔体辐射热量的面积，以便控制在该熔体的上表面处的传热。该熔体热交换器适于减少在该暴露的上表面部分处的热损失。本发明还公开了用于生长具有预期缺陷特性的单晶硅晶体的方法。
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公开(公告)号：CN1737216A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510087833.7
申请日：2005-06-07
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： C30B15/22
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/22 , C30B15/30 , Y10T117/1008 , Y10T117/1052
摘要： 本发明提供一种用于制造基本没有不希望的数量或尺寸的附聚缺陷的半导体级单晶的方法和系统。空位/间隙(V/I)边界模拟器分析各种熔－固界面形状以预测各种熔－固界面形状中的每一种所对应的V/I转换曲线。为沿晶体长度的多个轴向位置中的每一个识别对应于基本平直的V/I曲线的目标熔－固界面形状。将实现每种所识别的熔－固界面形状的目标操作参数存储在熔－固界面形状分布图中。控制系统响应所存储的分布图以产生一个或多个控制信号，从而控制一个或多个输出装置，以便在晶体生长期间熔－固界面形状基本符合由分布图所限定的目标形状。
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公开(公告)号：CN100529197C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510087833.7
申请日：2005-06-07
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： C30B15/22
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/22 , C30B15/30 , Y10T117/1008 , Y10T117/1052
摘要： 本发明提供一种用于制造基本没有不希望的数量或尺寸的附聚缺陷的半导体级单晶的方法和系统。空位/间隙(V/I)边界模拟器分析各种熔-固界面形状以预测各种熔-固界面形状中的每一种所对应的V/I转换曲线。为沿晶体长度的多个轴向位置中的每一个识别对应于基本平直的V/I曲线的目标熔-固界面形状。将实现每种所识别的熔-固界面形状的目标操作参数存储在熔-固界面形状分布图中。控制系统响应所存储的分布图以产生一个或多个控制信号，从而控制一个或多个输出装置，以便在晶体生长期间熔-固界面形状基本符合由分布图所限定的目标形状。
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公开(公告)号：CN100345263C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN02825681.6
申请日：2002-12-23
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： H01L21/322 , H01L29/36 , H01L29/167
CPC分类号： H01L21/3226 , H01L21/3225
摘要： 一种硅片，它具有一种受控制的氧沉淀性能，以便最后形成一个洁净区和晶片主体中的氧沉淀物，上述洁净区从前表面向内延伸，而上述氧沉淀物足够用于本征吸除的目的。具体地说，在形成氧沉淀物之前，晶片主体包括掺杂剂稳定的氧沉淀物成核中心。掺杂剂选自氮和碳，并且掺杂剂的浓度足够使氧沉淀物成核中心能承受热处理如一种外延淀积法，而同时保持溶解任何生长中成核中心的能力。
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公开(公告)号：CN102869608A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201080066144.7
申请日：2010-09-10
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： C01B33/035 , F27B11/00 , F27D1/16
CPC分类号： C23C16/46 , C01B33/035 , C23C16/4418 , F27B11/00 , Y10T29/49826
摘要： 本发明涉及一种用于经由化学气相沉积工艺在多个加热的硅棒上沉积多晶硅的西门子反应器的钟罩。该钟罩包括导热内壁，该内壁具有至少部分限定内部空间的内表面，该内部空间适于在其内接纳所述多个加热的硅棒。热辐射屏蔽位于内部空间中，该热辐射屏蔽与所述内壁的内表面大体上邻接并与该内表面处于相对的关系。所述热辐射屏蔽基本上不透过从在所述钟罩的内部空间中的所述多个加热的硅棒发出的热辐射。
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公开(公告)号：CN1738930A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380108618.X
申请日：2003-11-10
申请人： MEMC电子材料有限公司
发明人： M·库尔卡尼
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10T117/1032 , Y10T117/1064 , Y10T117/1068
摘要： 本发明公开了一种用于生长单晶锭的拉晶机，包括一紧邻坩埚的用于加热该坩埚的侧面加热器，和一熔体热交换器，该熔体热交换器的尺寸和形状制成用于围绕该晶锭并邻近该熔体的表面设置。该热交换器包括一热源，该热源具有一用于向该熔体辐射热量的面积，以便控制在该熔体的上表面处的传热。该熔体热交换器适于减少在该暴露的上表面部分处的热损失。本发明还公开了用于生长具有预期缺陷特性的单晶硅晶体的方法。
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公开(公告)号：CN1606799A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02825681.6
申请日：2002-12-23
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： H01L21/322 , H01L29/36 , H01L29/167
CPC分类号： H01L21/3226 , H01L21/3225
摘要： 一种硅片，它具有一种受控制的氧沉淀性能，以便最后形成一个洁净区和晶片主体中的氧沉淀物，上述洁净区从前表面向内延伸，而上述氧沉淀物足够用于本征吸除的目的。具体地说，在形成氧沉淀物之前，晶片主体包括掺杂剂稳定的氧沉淀物成核中心。掺杂剂选自氮和碳，并且掺杂剂的浓度足够使氧沉淀物成核中心能承受热处理如一种外延淀积法，而同时保持溶解任何生长中成核中心的能力。
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公开(公告)号：CN1432075A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN01810286.7
申请日：2001-04-04
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： C30B15/04
CPC分类号： C30B15/04
摘要： 在硅晶体生长机中，将砷掺杂剂通过一密封的供料管加入硅熔体中，该密封的供料管具有一个浸入硅熔体表面下方的开口端。然后将所产生的砷蒸汽直接加入硅熔体体积中，使在硅熔体上方的晶体生长器体积内的砷蒸汽损失为最小。掺杂剂供料管可以制成为一个组件或制成为一个分离的组件，上述组件连接到晶体生长器籽晶夹上并用籽晶夹驱动机构下放到硅熔体中，而上述分离的组件可以通过硅熔体上方晶体生长器室壁中的一个通入口向硅熔体中伸出或从中缩回。
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