本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，能提高单位面积的电容器容量，能简化制造工序。通过在电容器形成区域的表面，形成至少不少于1个的凹凸的电容器形成槽(4a)，来增加电容器的表面积，可提高单位面积的电容器的容量。另外，通过利用同一工序形成上述电容器形成槽(4a)和在半导体衬底(1)的表面上形成的元件分离槽(4)，可以简化制造工序。另外，通过同一工序，形成在电容器形成区域的电容器的电介质膜(16a)和在MISFET区域的高耐压用栅极绝缘膜(16)。另外，通过同一工序，形成电容器形成区域的电容器的电介质膜(16a)、及存储单元形成区域的多晶硅层(10a)和多晶硅层(17)之间的存储器栅极层间膜(11)。