公开(公告)号：CN1622311A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN03110198.4

申请日：2003-04-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 冈崎勉 ,  冈田大介 ,  池田良广 ,  塚本惠介 ,  福村达也 ,  宿利章二 ,  原田惠一 ,  岸浩二

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/11536 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，能提高单位面积的电容器容量，能简化制造工序。通过在电容器形成区域的表面，形成至少不少于1个的凹凸的电容器形成槽(4a)，来增加电容器的表面积，可提高单位面积的电容器的容量。另外，通过利用同一工序形成上述电容器形成槽(4a)和在半导体衬底(1)的表面上形成的元件分离槽(4)，可以简化制造工序。另外，通过同一工序，形成在电容器形成区域的电容器的电介质膜(16a)和在MISFET区域的高耐压用栅极绝缘膜(16)。另外，通过同一工序，形成电容器形成区域的电容器的电介质膜(16a)、及存储单元形成区域的多晶硅层(10a)和多晶硅层(17)之间的存储器栅极层间膜(11)。