发明授权
CN1697187B 半导体集成电路、半导体器件和半导体集成电路的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体集成电路、半导体器件和半导体集成电路的制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit
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申请号： CN200410094239.6申请日： 2004-12-17
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公开(公告)号： CN1697187B公开(公告)日： 2011-05-04
- 发明人: 加藤清
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 刘佳
- 优先权： 2003-423841 2003.12.19 JP
- 主分类号： H01L27/12
- IPC分类号： H01L27/12 ; H01L23/532 ; H01L23/50 ; B42D15/10 ; G06F17/60 ; G06K19/07 ; G07D7/02 ; H01L21/84
摘要：
提供了一种具有增加的冲击阻力、有吸引力的设计和减少的成本的芯片，及其制造方法。半导体集成电路形成在大的玻璃衬底上，其包括的ROM的数据部分是通过喷墨方法或激光切割方法确定。因此不需要利用光掩模，能够减小成本，形成廉价的ID芯片。另外，依靠本申请，半导体集成电路能够置换到挠性衬底上，从而能得到增强的冲击阻力和更具吸引力的ID芯片。
公开/授权文献
- CN1697187A 半导体集成电路、半导体器件和半导体集成电路的制造方法 公开/授权日：2005-11-16
IPC分类:
