发明公开
- 专利标题: 利用薄金属层制造碳纳米管薄膜、层、织品、条带、元件及物品之方法
- 专利标题(英): Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
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申请号: CN03825792.0申请日: 2003-01-13
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公开(公告)号: CN1720345A公开(公告)日: 2006-01-11
- 发明人: J·W·沃德 , T·吕克斯 , B·M·塞加尔
- 申请人: 南泰若股份有限公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州
- 专利权人: 南泰若股份有限公司
- 当前专利权人: 南泰若股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张宜红
- 国际申请: PCT/US2003/000832 2003.01.13
- 国际公布: WO2004/065655 EN 2004.08.05
- 进入国家日期: 2005-07-11
- 主分类号: C23C14/04
- IPC分类号: C23C14/04 ; C23C16/02 ; C23C16/04 ; C23C16/26 ; C23C16/56
摘要:
本发明揭示使用薄金属层以制造碳纳米管薄膜、层、织物、条带、元件及制品的方法。在一基片表面施加碳纳米管生长催化剂,包括一层或更多薄层金属。该基片进行含碳气体的化学气相沉积(160),以生长碳纳米管的非织造织物。根据界定的图案除去部分非织造织物,产生该制品。碳纳米管的非织造织物可通过在芯片基片表面施加碳纳米管生长催化剂,形成分散的单层催化剂来构成。该基片进行含碳气体的化学气相沉积,以生长接触的碳纳米管的非织造织物,并覆盖该芯片表面,而且所述织物具有基本上均匀的密度。
IPC分类: