发明公开
- 专利标题： 多电平单元存储器器件及相关读取方法
- 专利标题（英）： Multi-level cell memory device and associated read method
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申请号： CN200510131616.3申请日： 2005-12-15
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公开(公告)号： CN1822227A公开(公告)日： 2006-08-23
- 发明人: 金大汉 , 李升根
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 黄小临; 王志森
- 优先权： 106388/04 2004.12.15 KR; 106390/04 2004.12.15 KR
- 主分类号： G11C16/02
- IPC分类号： G11C16/02 ; G11C16/06 ; G11C11/34 ; G11C7/00 ; H01L27/115 ; H01L21/8247
摘要：
一种NOR闪存存储器器件包括适合于存储至少两个比特数据的存储器单元。通过生成检测最高有效比特(MSB)的值的、具有第一幅值的基准电流，以及生成检测最低有效比特(LSB)的值的、具有第二幅值的基准电流，在存储器单元上执行读操作。在读操作期间，通过把第一和第二基准电流与流过存储器单元的电流量进行比较，检测MSB和LSB的各自的值。根据基准电压生成器所生成的不同的基准电压确定第一和第二基准电流的各自的幅值。
公开/授权文献
- CN1822227B 多电平单元存储器器件及相关读取方法 公开/授权日：2012-01-11
