发明授权
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and its manufacturing method
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申请号： CN200480042436.1申请日： 2004-05-28
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公开(公告)号： CN1926686B公开(公告)日： 2010-08-18
- 发明人: 八重樫铁男 , 永井孝一
- 申请人： 富士通微电子株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 富士通微电子株式会社
- 当前专利权人： 富士通微电子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理商 张龙哺
- 国际申请： PCT/JP2004/007373 2004.05.28
- 国际公布： WO2005/117120 JA 2005.12.08
- 进入国家日期： 2006-09-13
- 主分类号： H01L27/105
- IPC分类号： H01L27/105 ; H01L27/108 ; H01L21/8242
摘要：
本发明提供一种更加能够抑制铁电电容器伴随吸湿而恶化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：半导体基板；多个铁电电容器(101)，其形成在上述半导体基板的上方；多个第一密封环(102)，其包括在上述铁电电容器的同层上形成的金属膜；多个第二密封环(103)，其包围从多个上述第一密封环中选择的两个以上第一密封环；第三密封环(104)，其包围全部上述多个铁电电容器，同时包围全部上述第二密封环。当从与上述半导体基板的表面垂直的方向看，上述第一密封环包围单个铁电电容器，其中上述多个铁电电容器中的每一个具有相应的第一密封环，并且形成一个存储单元。
公开/授权文献
- CN1926686A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2007-03-07
IPC分类:
