公开(公告)号：CN101326633B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580052213.8

申请日：2005-12-02

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 永井孝一 ,  王文生

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种能够防止形成在绝缘膜孔内的导电插塞变成接触不良的半导体器件及其制作方法。一种半导体器件，包括：形成在硅衬底10上的基底绝缘膜25；形成在基底绝缘膜25上的电容器Q；覆盖电容器Q的层间绝缘膜35；形成在层间绝缘膜35上的第一层金属布线45；覆盖层间绝缘膜35和第一层金属布线45，且在第一层金属布线45的上方具有第一膜厚的单层的第一绝缘膜48；形成在第一绝缘膜48上的第一电容器保护绝缘膜50；形成在第一电容器保护绝缘膜50上，且在第一层金属布线45的上方具有比第一膜厚更厚的第二膜厚的第一盖绝缘膜51；形成在第一层金属布线45上的绝缘膜48、50、51上的第三孔54a；形成在第三孔54a内的第五导电插塞57。

公开(公告)号：CN100521211C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480042808.0

申请日：2004-06-04

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 永井孝一

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57

Abstract: 形成有覆盖铁电电容器的层间绝缘膜(14)，在层间绝缘膜(14)形成有到达上部电极(11a)的接触孔(19)。并且，在层间绝缘膜(14)上形成有通过接触孔(19)而连接到上部电极(11a)的Al配线(17)。接触孔(19)的平面形状为椭圆形。

公开(公告)号：CN100536079C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200480042616.X

申请日：2004-04-22

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 八重樫铁男 ,  永井孝一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体基板，其由以下部分构成：晶片；第一台阶结构，其由以第一面积率形成在上述晶片的表面上的多个台阶部构成；第二台阶结构，其由以不同的第二面积率形成在上述表面上的多个台阶部构成；层间绝缘膜，其以覆盖上述第一及第二台阶结构的方式形成在上述表面上，并具有平坦表面，在上述表面上，至少具有被上述层间绝缘膜所覆盖的第一及第二膜厚监控图案，在上述表面上以包围上述第一膜厚监控图案的方式形成有由其他的多个图案构成的第一图案组，并在上述表面上，以包围上述第二膜厚监控图案的方式形成有由其他的多个图案构成的第二图案组，在上述表面上，上述第一膜厚监控图案及上述第一图案组具有第三面积率，上述第二膜厚监控图案及上述第二图案组具有第四面积率，上述第三面积率和上述第四面积率互不相同。

公开(公告)号：CN1926686B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200480042436.1

申请日：2004-05-28

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 八重樫铁男 ,  永井孝一

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明提供一种更加能够抑制铁电电容器伴随吸湿而恶化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：半导体基板；多个铁电电容器(101)，其形成在上述半导体基板的上方；多个第一密封环(102)，其包括在上述铁电电容器的同层上形成的金属膜；多个第二密封环(103)，其包围从多个上述第一密封环中选择的两个以上第一密封环；第三密封环(104)，其包围全部上述多个铁电电容器，同时包围全部上述第二密封环。当从与上述半导体基板的表面垂直的方向看，上述第一密封环包围单个铁电电容器，其中上述多个铁电电容器中的每一个具有相应的第一密封环，并且形成一个存储单元。

公开(公告)号：CN101142673B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200580049084.7

申请日：2005-03-18

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 永井孝一

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在印刷电路板(1)上形成由树脂构成的基底(3)。在基底(3)上涂敷粘结剂(4)，并在该粘结剂(4)上装载并固定IC芯片(5)。然后，利用BGA型的封装树脂(7)密封IC芯片(5)。基底(3)和封装树脂(7)，由相同的树脂构成。

公开(公告)号：CN101617399A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200780051751.4

申请日：2007-02-27

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 永井孝一

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/56 ,  H01L21/312 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明提供半导体存储器件及其制造方法、封装树脂形成方法。本发明的铁电电容器具有：晶体管层，其形成在半导体衬底上；铁电电容器层，其形成在晶体管层的上方；配线层，其形成在铁电电容器层的上方；以及钝化膜。该铁电电容器的特征在于，在铁电电容器层和钝化膜之间，形成有至少一层阻挡膜，该阻挡膜用于抑制水分以及氢向下层渗透，钝化膜含有酚醛清漆树脂。

公开(公告)号：CN101641781A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200780051601.3

申请日：2007-02-21

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 永井孝一

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种能够防止铁电体电容器劣化的半导体装置及其制造方法。上述半导体装置具有：基底绝缘膜(25)，形成在硅基板(10)的上方，铁电体电容器(Q)，形成在基底绝缘膜(25)之上，多个层间绝缘膜(35、48、62)以及金属布线(45、58、72)，交替形成在电容器(Q)之上，导电性塞柱(57)，形成在层间绝缘膜(48)所具有的孔(54a)内，与金属布线(45)电连接；在层间绝缘膜(48)的上表面上，形成有依次层叠第一绝缘性氧化金属膜(50a)、介电常数低于层间绝缘膜(48)的中间绝缘膜(50b)以及第二绝缘性金属氧化金属膜(50c)而成的第一电容器保护绝缘膜(50)，在该第一电容器保护绝缘膜(50)也形成有孔(54a)。

公开(公告)号：CN101116185B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200580047720.2

申请日：2005-03-01

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 菊池秀明 ,  永井孝一

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 在半导体基板的上方形成具有铁电膜(10a)的铁电电容器之后，形成直接连接在铁电电容器的电极(9a、11a)上的布线(17)。然后，形成覆盖布线(17)的氧化硅膜(18)。但是，作为氧化硅膜(18)而形成如下膜，该膜在成膜时对铁电电容器的损伤程度低于或等于氧化铝膜在成膜时对铁电电容器的损伤程度，而且该膜的易加工程度高于氧化铝膜的易加工程度。

公开(公告)号：CN101663558A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200780052462.6

申请日：2007-04-05

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 山形高广 ,  永井孝一

IPC: G01B7/28

CPC classification number: G06K9/0002

Abstract: 提供一种能够维持机械强度且能够提高灵敏度的表面形状传感器及其制造方法。表面形状传感器具有：层间绝缘膜(40)，其形成在半导体衬底(10)的上方，具有平坦的上表面；检测电极膜(42a)，其形成在层间绝缘膜(40)上；上部绝缘膜(110)，其形成在检测电极膜(42a)和层间绝缘膜(40)上，在上部绝缘膜(110)的表面上露出有氮化硅膜；保护绝缘膜(54)，其堆积在上部绝缘膜(110)上，由在检测电极膜(42a)上形成有窗(54a)的四面体非晶碳(ta-C)膜构成。

公开(公告)号：CN100585860C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200710000712.3

申请日：2004-05-21

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 西乡薰 ,  永井孝一

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/00 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/49 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底之上和上方的电路部分；覆盖所述电路部分的钝化膜；电极焊盘，所述电极焊盘以电极焊盘从所述钝化膜暴露出来的方式被提供在所述电路部分的外部；以及护圈图案，所述护圈图案被提供在所述电极焊盘和所述电路部分之间，以使所述护圈图案基本包围所述电路部分。所述护圈图案从所述半导体衬底的表面延伸到所述钝化膜。