包括底材、门电路介质层和一氮化钛门电路的元件

发明公开

CN1937253A 包括底材、门电路介质层和一氮化钛门电路的元件无效 - 驳回

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专利标题： 包括底材、门电路介质层和一氮化钛门电路的元件
专利标题（英）： Systems and methods for forming zirconium and/or hafnium-containing layers
申请号： CN200610142523.5

申请日： 2003-08-27
公开(公告)号： CN1937253A

公开(公告)日： 2007-03-28
发明人: B·A·瓦尔茨特拉
申请人： 微米技术有限公司
申请人地址： 美国爱达荷州
专利权人： 微米技术有限公司
当前专利权人： 微米技术有限公司
当前专利权人地址： 美国爱达荷州
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 段晓玲
优先权： 10/229779 2002.08.28 US
分案原申请号： 038245876
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/51 ; H01L27/02 ; H01L21/316 ; H01L21/285 ; C23C16/40

摘要：

本发明涉及一种采用气相淀积工艺和一种或多种式Si(OR)4的硅前体化合物与一种或多种式M(NR’R”)4的锆和/或铪前体化合物(其中R、R’和R”各自独立为有机基团，M为锆或铪)在底材(特别是半导体底材或底材组件)上形成含锆和/或铪层的方法及装置。

摘要（英）：

A method of forming (and apparatus for forming) a zirconium and/or hafnium-containing layer on a substrate, particularly a semiconductor substrate or substrate assembly, using a vapor deposition process and one or more silicon precursor compounds of the formula Si(OR)>44<, wherein R, R', and R'' are each independently an organic group and M is zirconium or hafnium.

信息查询

中国专利公布公告 Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的