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发明授权
CN1938825B 半导体装置及其制造方法 失效 - 权利终止 转让

半导体装置及其制造方法
摘要：
本发明提供半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：在源极/漏极扩散层(64)上形成Ni膜(66)的工序；通过进行热处理，使Ni膜(66)中的下层侧的部分和源极/漏极扩散层(64)中的上层侧的部分反应，在源极/漏极扩散层(64)上形成Ni2Si膜(70b)的第一热处理工序；有选择地蚀刻除去Ni膜(66)中的未反应的部分的工序；通过进行热处理，进一步使Ni2Si膜(70b)源极/漏极扩散层(64)中的上层侧的部分反应的第二热处理工序。
摘要（英）：

Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step for forming an Ni film (66) on a source/drain diffusion layer (64); a first heat treatment step wherein a heat treatment is conducted for reacting the lower portion of the Ni film (66) with the upper portion of the source/drain diffusion layer (64), thereby forming an Ni2Si film (70b) on the source/drain diffusion layer (64); a step for selectively etching and removing the unreacted portion of the Ni film (66); and a second heat treatment step wherein a heat treatment is conducted for further reacting the Ni2Si film (70b) with the upper portion of the source/drain diffusion layer (64).

公开/授权文献
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