实用新型
- 专利标题: 反应腔室和干法刻蚀设备
- 专利标题(英): Reaction cavity and dry-etching equipment
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申请号: CN201320516223.4申请日: 2013-08-22
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公开(公告)号: CN203466163U公开(公告)日: 2014-03-05
- 发明人: 董康旭 , 侯智 , 吴代吾 , 刘祖宏 , 刘轩 , 毛晓伟 , 焦建超
- 申请人: 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市铜陵北路2177号
- 专利权人: 合肥京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 合肥京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市铜陵北路2177号
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 彭瑞欣; 陈源
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32
摘要:
本实用新型公开了一种反应腔室,用于对基板进行干法刻蚀,该反应腔室包括:反应腔体、相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极竖直固定在所述反应腔体内,所述第一电极和所述第二电极之间产生电场。在该反应腔室内,第一电极与第二电极竖直放置,在进行干法刻蚀时,不仅可以同时对两块基板进行刻蚀,增加了刻蚀效率,而且可以保护电极不受等离子体的刻蚀,间接的提高了等离子体的利用率。同时由于被刻蚀基板为竖直放置,进而可减小微粒落在基板表面的概率。