公开(公告)号：CN105206763B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201510689439.4

申请日：2015-10-21

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 金相秦 ,  吴代吾

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/5256 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5338

摘要： 本发明提供了一种柔性显示器及其制造方法，涉及显示技术领域，能够使柔性显示器的封装结构既满足抗氧化性的要求，又满足柔性的要求。其中，所述柔性显示器包括封装结构，所述封装结构包括相层叠的多层封装膜，所述多层封装膜中包括多层无机膜；所述多层封装膜所包括的至少一对相邻的封装膜中，相互接触的两个接触面上均具有凹凸结构，且所述两个接触面上的凹凸结构相匹配；该对相邻的封装膜中的至少一个为无机膜。前述柔性显示器用于进行画面显示。

公开(公告)号：CN103560100B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310502972.6

申请日：2013-10-23

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 杨庆峰 ,  吕艳明 ,  房毛毛 ,  闫方亮 ,  袁涛 ,  刘祖宏 ,  侯智 ,  吴代吾

IPC分类号： H01L21/67 ,  B01D46/00

摘要： 本发明公开了一种空气净化系统和洁净室，涉及空气净化技术领域，能够避免风机的气流在产品上形成紊流而对产品品质造成不良影响。该空气净化系统，包括设置有出风口的风机、设置于所述出风口下方的过滤器以及设置于所述过滤器下方的产品传输区域，还包括：设置在所述风机和过滤器之间的遮挡机构，所述遮挡机构包括可收展的挡风部和连接于所述挡风部的收展控制部。

公开(公告)号：CN103590018B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201310508648.5

申请日：2013-10-24

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 陈甫 ,  刘祖宏 ,  刘建辉 ,  李婷婷 ,  丁欣 ,  张亮 ,  侯智 ,  吴代吾

IPC分类号： C23C16/44

摘要： 本发明提供一种气体处理系统及化学气相沉积设备，属于微电子技术领域，其可解决现有的气体处理系统的能源浪费的问题。本发明的气体处理系统，其包括：用于从反应腔室中抽取气体的抽气装置、用于对从反应腔室中抽取的气体进行处理的气体处理装置，所述气体处理系统还包括：气体监测装置，所述反应腔室与抽气装置，抽气装置与气体处理装置均通过第一管道连接；所述气体监测装置与第一管道气路连接，用于将气体电离，并俘获电离产生的离子而产生电流；所述气体监测装置与气体处理装置电连接，用于控制气体处理装置工作。本发明的气体处理系统可用于化学气相沉积设备，干法刻蚀工艺设备等基板处理工艺的设备中。

公开(公告)号：CN102645799A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201110076578.1

申请日：2011-03-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 訾玉宝 ,  郑载润 ,  王世凯 ,  吴代吾 ,  侯智

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136209 ,  H01L29/78633

摘要： 本发明公开了一种液晶显示器件、阵列基板和彩膜基板及其制造方法，可提高液晶显示器件的开口率。本发明实施例的液晶显示器件包括：下基板；黑矩阵，形成在所述下基板之上；顶栅型TFT器件，形成在所述黑矩阵之上；上基板；像素层，形成在所述上基板上；彩膜ITO电极，形成在所述像素层之上；液晶分子层，形成在所述上基板和下基板之间。本发明通过直接将黑矩阵集成于玻璃基板上，因而可在基板上集成顶栅型TFT器件，使TFT-LCD的开口率进一步提高；且由于使用了顶栅型TFT器件，使工艺更加简单，进一步降低生产成本。

公开(公告)号：CN104393053B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201410796010.0

申请日：2014-12-19

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 周庆高 ,  李鹏 ,  冯忠 ,  孟盼盼 ,  刘祖宏 ,  吴代吾 ,  侯智

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1333

摘要： 薄膜晶体管及其制作方法，薄膜晶体管组件、阵列基板及显示装置，一种薄膜晶体管，包括：基板；设置在基板上的栅极、栅极绝缘部、半导体部、源极和漏极，半导体部与栅极之间利用栅极绝缘部隔开，源极和漏极与半导体部连接，其中：栅极和半导体部在基板上的投影彼此不重叠。栅极、栅极绝缘部、半导体部、源极和漏极可同层布置。或者，栅极绝缘部的一部分设置在半导体部和源、漏极所在层与基板之间；且栅极直接设置在基板上。或者，半导体部和源、漏极同层直接布置在基板上；且栅极绝缘部的一部分设置在栅极所在层与基板之间。

公开(公告)号：CN104362116B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201410616083.7

申请日：2014-11-04

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘建辉 ,  丁欣 ,  陈甫 ,  张颖 ,  王亚东 ,  毛晓伟 ,  刘祖宏 ,  吴代吾 ,  侯智

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/04

摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种气悬浮式下部电极及干法刻蚀装置。该下部电极包括下部电极本体、下部电极控制器及至少一对压力传感器，将至少一对压力传感器设置在下部电极本体靠边的位置，每对的两个压力传感器由内向外依次设置，根据压力传感器测得的压力值，下部电极控制器控制冷却气体通孔的气体流量，进而使玻璃基板在刻蚀时与下部电极可保持悬浮，从而真正做到蚀刻不良的零发生，玻璃基板受热均匀，也间接地提高刻蚀时的均一性和刻蚀质量；也避免了因下部电极本体磨损造成的玻璃基板与下部电极本体粘附力增大的问题出现，进而也不会造成玻璃破损。

公开(公告)号：CN102966828B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210434443.2

申请日：2012-11-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 刘建辉 ,  张亮 ,  沈世妃 ,  袁涛 ,  张小林 ,  毛晓伟 ,  刘祖宏 ,  吴代吾 ,  侯智

IPC分类号： F16N13/10 ,  F16N29/00 ,  F16N27/00

摘要： 本发明涉及一种机械装置的注油设备，特别是一种新式定量型电动油枪,所述油枪腔体内设有电动马达和注油活塞，所述电动马达通过齿轮传动机构使注油活塞在所述油枪腔体内做直线运动，从而将油枪腔体内的油剂推向油枪注油端口。本发明所涉及的电动油枪可以实现自动注油，注油过程平缓，减少了人为因素的对注油作业的影响；并通过流量计量器精确控制每次的注油量，保证了设备所需要的油量以及设备的运行稳定，且可以避免额外的浪费，有效的节约了成本。

公开(公告)号：CN102646713B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110124716.9

申请日：2011-05-13

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 耿军 ,  郑载润 ,  吴代吾 ,  王世凯 ,  訾玉宝 ,  王建伟

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构及其制造方法，用以减少掩膜次数，简化工艺流程，节约成本。该方法为：在基板上依次溅镀像素电极薄膜和钝化绝缘层薄膜，采用第一掩膜板进行掩膜曝光后再进行刻蚀，形成像素电极、钝化绝缘层和漏极过孔，然后依次溅镀源、漏极薄膜和欧姆接触层薄膜，采用第二掩膜板进行掩膜曝光后再进行刻蚀，形成源极、漏极、源漏沟槽以及覆盖在源极和漏极之上的欧姆接触层，再依次溅镀有源层薄膜、绝缘层薄膜和栅极薄膜，采用第三掩膜板进行掩膜曝光后再进行刻蚀，形成有源层、绝缘层、栅极以及源极驱动过孔。本发明同时公开了一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构。

公开(公告)号：CN103872040A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201210546167.9

申请日：2012-12-14

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 耿军 ,  侯智 ,  吴代吾 ,  杨子衡 ,  谢少华 ,  李茜茜 ,  喻玥

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括：基板；透明电极层，包括像素电极，形成于所述基板上方；栅金属层，包括栅电极及栅线，其中栅电极和一部分栅线形成在基板上方；栅绝缘层，覆盖于所述基板、像素电极、栅电极和栅线上方；有源层，形成于栅绝缘层的上方且与栅电极相对；源漏电极层，包括源极、漏极和数据线、以及另一部分栅线，形成于有源层及栅绝缘层的上方；其中所述栅绝缘层上形成有连通孔及过孔，两部分栅线之间通过所述连通孔连通，所述漏极与所述像素电极通过所述过孔连通。本发明的阵列基板，简化了生产工艺，降低了生产成本，缩短了生产周期。

公开(公告)号：CN103700708A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310710175.7

申请日：2013-12-19

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 周庆高 ,  赵卓寒 ,  刘祖宏 ,  吴代吾 ,  侯智

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G09F9/33

CPC分类号： H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，将薄膜晶体管的栅极、栅绝缘部件、有源部件和源漏极沿平行于衬底基板的水平方向设置在衬底基板上，而现有的薄膜晶体管是在衬底基板上依次层叠设置栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极，本发明实施例提供的薄膜晶体管相当于将现有的薄膜晶体管以其在衬底基板上占用的区域中较短的边为中心轴旋转90°，这样，使薄膜晶体管在衬底基板上占用区域的横向宽度的数量级由10-6m减小至10-10m，由此减小了薄膜晶体管在衬底基板上所占用的非透光面积，从而增大了可透光面积，这样，在显示器件的开口率一定时提高显示器件的分辨率，在显示器件的分辨率一定时增大显示器件的开口率。