实用新型
- 专利标题: 可拆分VGF单晶生长坩埚中环
- 专利标题(英): But split VGF growth of single crystal crucible zhonghuan
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申请号: CN201620584182.6申请日: 2016-06-16
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公开(公告)号: CN205917343U公开(公告)日: 2017-02-01
- 发明人: 柳廷龙 , 董汝昆 , 李武芳 , 祝永成 , 何永彬 , 高云浩 , 金之生 , 杨小瑞 , 权忠朝
- 申请人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
- 专利权人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司,昆明云锗高新技术有限公司,云南鑫耀半导体材料有限公司
- 当前专利权人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司,昆明云锗高新技术有限公司,云南鑫耀半导体材料有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
- 代理机构: 昆明祥和知识产权代理有限公司
- 代理商 张亦凡
- 主分类号: C30B11/00
- IPC分类号: C30B11/00 ; C30B29/08
摘要:
可拆分VGF单晶生长坩埚中环,涉及一种装料装置部件,尤其是一种可拆分VGF单晶生长坩埚中环。可拆分VGF单晶生长坩埚中环,该中环放置于上层坩埚与下层坩埚中间,上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内,其特征在于该中环由石英外环、石英斜面和石英横杆组成,石英斜面放置于石英外环内,石英斜面上设置石英横杆,石英横杆抵在石英管管壁上,起固定作用。可拆分VGF单晶生长坩埚中环,设计科学,使用方便,有效降低成本,并且由于石英斜面和石英横杆可以重复利用,大幅提高了单位时间内的加工效率,对企业提高效率、降低成本有重要作用。
IPC分类: