实用新型
CN206990779U 基于单模-拉制小芯单模-单模光纤结构的传感器
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基于单模-拉制小芯单模-单模光纤结构的传感器
- 专利标题(英): Sensor based on single mode little core single mode of draing single mode fiber structure
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申请号: CN201720931111.3申请日: 2017-07-28
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公开(公告)号: CN206990779U公开(公告)日: 2018-02-09
- 发明人: 牛龙飞 , 周国瑞 , 邹睿 , 吕海兵 , 苗心向 , 袁晓东 , 刘昊 , 蒋一岚 , 李可欣
- 申请人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 申请人地址: 四川省绵阳市科学城绵山路64号
- 专利权人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市科学城绵山路64号
- 代理机构: 北京远大卓悦知识产权代理事务所
- 代理商 郑健
- 主分类号: G01R33/032
- IPC分类号: G01R33/032
摘要:
本实用新型公开了一种基于单模-拉制小芯单模-单模光纤结构的传感器,包括:第一单模光纤;拉制小芯单模,其输入端与第一单模光纤的输出端熔接;拉制小芯单模光纤的表面附着超磁致伸缩材料层;第二单模光纤,其输入端与拉制小芯单模光纤的输出端熔接。本实用新型中,当超辐射发光二极管光源发出的光在第一单模光纤中传输,进入拉制小芯单模光纤中形成干涉,部分波长的光在其中形成波谷,而后进入第二单模光纤中继续传输,当带有超磁致伸缩材料层的拉制小芯单模光纤处于磁场环境中导致超磁致伸缩材料发生微小形变及波导折射率从而影响波导干涉条件变化,导致谐振波长的偏移,依据谐振波长的偏移量,获得磁场的变化量。