实用新型
CN212011015U 940nm红外LED的外延结构
失效 - 权利终止
- 专利标题： 940nm红外LED的外延结构
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申请号： CN202020705748.2申请日： 2020-04-30
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公开(公告)号： CN212011015U公开(公告)日： 2020-11-24
- 发明人: 米洪龙 , 杨杰 , 关永莉 , 杨鑫 , 周王康 , 申江涛 , 陕志芳 , 樊明明
- 申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
- 申请人地址： 山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村
- 专利权人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
- 当前专利权人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
- 当前专利权人地址： 山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村
- 主分类号： H01L33/12
- IPC分类号： H01L33/12 ; H01L33/14 ; H01L33/06 ; H01L33/44 ; H01L33/00
摘要：
本实用新型提供一种940nm红外LED的外延结构，属于显示设备领域。外延结构从下至上依次包括衬底1、衬底缓冲层2、下覆盖层3、下波导层4、第一有源层5、晶格缓冲层6、第二有源层7、上波导层8、电流限制层9、上覆盖层10、窗口层11和欧姆接触层12，所述下覆盖层3包括第一覆盖层3-1和第二覆盖层3-2。本实用新型能提高外延结构的晶格质量、提供高势垒电子、减少阱垒的失配效应、提高有源层阱的质量、提高器件的发光效率、提高电子-空穴的复合率而提升器件的发光效率、使器件电流可以均匀分布、提高欧姆接触质量，因而可以多方位地提高基于该外延结构的940nm红外LED的光电转换效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
IPC分类:
